[发明专利]具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010528033.5 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102064149A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王盟仁 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/492;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方法。该具有穿导孔的半导体装置包括一硅基材及至少一穿导孔。该硅基材的厚度为75至150微米(μm)。该穿导孔包括：一第一阻绝层及一导电金属，该第一阻绝层的厚度为5至12微米(μm)。本发明的半导体装置及封装结构可确保该穿导孔与其它组件的电性连接，且可确保该硅基材与其它半导体装置的电性连接，以提高产品的良率。再者，利用本发明的制造方法，在进行回焊工艺时，不会造成该硅基材的翘曲、位置偏移等现象，故可仅进行一次回焊工艺，可简化后续的工艺，并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿导孔 半导体 装置 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有穿导孔的半导体装置，包括：一硅基材，具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该硅基材，该硅基材的厚度为75至150微米；及至少一穿导孔，贯穿该硅基材，该穿导孔包括：一第一阻绝层，设置于该穿孔的侧壁，且定义出一第一中心槽，该第一阻绝层的厚度为5至12微米；及一导电金属，设置于该第一中心槽内。
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