[发明专利]具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有穿导孔的半导体装置，包括：

一硅基材，具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该硅基材，该硅基材的厚度为75至150微米；及

至少一穿导孔，贯穿该硅基材，该穿导孔包括：

一第一阻绝层，设置于该穿孔的侧壁，且定义出一第一中心槽，该第一阻绝层的厚度为5至12微米；及

一导电金属，设置于该第一中心槽内。

2.如权利要求1的半导体装置，其中该穿导孔的径向宽度为25至50微米。

3.如权利要求1的半导体装置，其中该导电金属为一环状结构，该环状结构定义出一第二中心槽，且该穿导孔另包括一第二阻绝层，设置于该第二中心槽内。

4.如权利要求1的半导体装置，其中该导电金属的厚度大于等于6微米。

5.如权利要求1的半导体装置，另包括一第一保护层设置于该第一表面，其中该第一保护层具有一第一开口。

6.如权利要求5的半导体装置，另包括一第一重布层，其中该第一重布层设置于该第一开口并与该导电金属电性连接。

7.如权利要求6的半导体装置，其中该第一重布层的厚度大于等于4.5微米。

8.一种具有穿导孔的半导体装置的封装结构，包括：

一半导体装置，包括；

一硅基材，具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该硅基材，该硅基材的厚度为75至150微米；及

至少一穿导孔，贯穿该硅基材，该穿导孔包括：

一第一阻绝层，设置于该穿孔的侧壁，且定义出一第一中心槽，该第一阻绝层的厚度为5至12微米；及

一导电金属，设置于该第一中心槽内；及

至少一芯片，设置于该半导体装置上，电性连接该半导体装置的穿导孔。

9.如权利要求8的封装结构，其中该穿导孔的径向宽度为25至50微米。

10.如权利要求8的封装结构，其中该导电金属为一环状结构，该环状结构定义出一第二中心槽，且该穿导孔另包括一第二阻绝层，设置于该第二中心槽内。

11.如权利要求8的封装结构，其中该半导体装置另包括：

一第一保护层，设置于该第一表面，具有一第一开口；

一第二保护层，设置于该第二表面，具有一第二开口；

一第一重布层，设置于该第一开口，并与该导电金属电性连接；及

一第二重布层，设置于该第二开口，并与该导电金属电性连接。

12.如权利要求11的半导体装置，其中该第一重布层或该第二重布层的厚度大于等于4.5微米。

13.如权利要求8的封装结构，另包括一载体，该半导体装置设置于该载体上，其中该载体为一硅基板本体或一有机基板本体。

14.一种具有穿导孔的半导体装置的封装结构的制造方法，包括：

(a)提供一载体；

(b)设置一半导体装置于该载体上，其中该半导体装置包括：一硅基材及至少一穿导孔，该硅基材具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该硅基材，该硅基材的厚度为75至150微米；穿导孔贯穿该硅基材，该穿导孔包括：一第一阻绝层及一导电金属，该第一阻绝层设置于该穿孔的侧壁，且定义出一第一中心槽，该导电金属设置于该第一中心槽内；

(c)设置数个芯片于该半导体装置上；

(d)进行一次回焊工艺；及

(e)封装这些芯片及该半导体装置。

15.如权利要求14的方法，其中该步骤(b)中利用数个第一凸块，电性连接该穿导孔及该载体。

16.如权利要求14的方法，其中该步骤(c)中利用数个第二凸块，电性连接该穿导孔及这些芯片。