[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010527470.5 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102456735A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体器件，包括：衬底，包括用于对位于栅长方向上的不同器件进行隔离的沟槽；栅极部分，位于所述衬底上；源极部分和漏极部分，分别位于栅极部分相对两侧的衬底内；衬里，位于所述沟槽的内壁上；应变相变材料部分，位于所述沟槽中；其中应变相变材料部分对衬底施加拉应力或压应力，以使衬底产生拉应变或压应变。本发明还提出了一种用于制造上述半导体器件的工艺方法。在本发明中，在浅沟槽隔离区中形成相变材料。通过相变材料在发生相变时所产生的体积或密度改变，能够产生较大的形变应力，从而增强半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，包括用于对位于栅长方向上的不同器件进行隔离的沟槽；栅极部分，位于所述衬底上；源极部分和漏极部分，分别位于栅极部分相对两侧的衬底内；衬里，位于所述沟槽的内壁上；应变相变材料部分，位于所述沟槽中；其中应变相变材料部分对衬底施加拉应力或压应力，以使衬底产生拉应变或压应变。
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