[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括用于对位于栅长方向上的不同器件进行隔离的沟槽；

栅极部分，位于所述衬底上；

源极部分和漏极部分，分别位于栅极部分相对两侧的衬底内；

衬里，位于所述沟槽的内壁上；

应变相变材料部分，位于所述沟槽中；

其中应变相变材料部分对衬底施加拉应力或压应力，以使衬底产生拉应变或压应变。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

保护层，覆盖所述应变相变材料部分的顶部。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于

所述保护层是氧化物层或氮化物层，所述衬里是氧化物衬里或氮化物衬里。

4.根据权利要求1～3之一所述的半导体器件，其特征在于

所述应变相变材料部分由氧族化合物基相变材料或含有IV、V、VI族元素的相变材料构成。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于

所述应变相变材料部分由Ge₂Sb₂Te₅、In₂Se₃和Sb₂Te中的任一种构成。

6.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成用于对位于栅长方向上的不同器件进行隔离的沟槽；

在所述沟槽的内壁上形成衬里；

在所述沟槽内沉积相变材料；以及

对所述相变材料进行相变处理，以形成应变相变材料，从而对所述衬底施加拉应力或压应力，以使所述衬底产生拉应变或压应变。

7.根据权利要求6所述的半导体器件制造方法，还包括：

在所述衬底上形成栅极；

再次对所述相变材料进行相变处理，以确保所述相变材料形成所述应变相变材料；以及

在所述栅极两侧形成源极部分和漏极部分。

8.根据权利要求6所述的半导体器件制造方法，还包括：

形成保护层，覆盖所述应变相变材料的顶部。

9.根据权利要求8所述的半导体器件制造方法，其特征在于

所述保护层是氧化物层或氮化物层，所述衬里是氧化物衬里或氮化物衬里。

10.根据权利要求6～9之一所述的半导体器件制造方法，其特征在于

所述应变相变材料是氧族化合物基相变材料或含有IV、V、VI族元素的相变材料。

11.根据权利要求10所述的半导体器件制造方法，其特征在于

所述应变相变材料是Ge₂Sb₂Te₅、In₂Se₃和Sb₂Te中的任一种。