[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201010527103.5 | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102074272A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 大林茂树;米津俊明;岩本猛;河野和史;荒川政司;内田孝裕 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18;G11C29/00;H01L27/10;H01L23/525 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;高为 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件。在熔丝程序电路(FPK1-FPKn)中，使用多层金属布线的第3层以上的金属布线(M(i))来实现熔丝元件FS。在各熔丝程序电路中，使用扫描触发器(FSSR和PSR)来依次传输程序信息和熔丝选择信息，有选择地逐个电切断熔丝。可以低功耗且低占有面积地实现具备即便在封装安装后也可进行编程的熔丝元件的熔丝程序电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有多个金属布线层的半导体器件，其中，具备：内部电路，包含使用所述多个金属布线层的布线进行布线连接的晶体管元件；至少一个熔丝程序电路，包含：熔丝元件，使用所述多个金属布线层的最下层的第一金属布线层之上的布线层的布线而形成；以及熔丝晶体管元件，与所述熔丝元件串联连接，并有选择地流过用于进行所述熔丝元件的熔断的电流，其中，用于根据依照熔丝程序信息设定的所述熔丝元件的熔断/未熔断状态而固定地储存与所述内部电路有关的信息；以及规定的布线层，形成于所述多个金属布线层上，所述多个金属布线层各自的厚度均薄于所述规定的布线层的厚度，所述多个金属布线层和所述规定的布线层具有铜布线，所述熔丝元件由铜构成。
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