[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 201010527103.5 申请日: 2007-05-25
公开(公告)号: CN102074272A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 大林茂树;米津俊明;岩本猛;河野和史;荒川政司;内田孝裕 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G11C17/18 分类号: G11C17/18;G11C29/00;H01L27/10;H01L23/525
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;高为
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种具有多个金属布线层的半导体器件,其中,具备:

内部电路,包含使用所述多个金属布线层的布线进行布线连接的晶体管元件;

至少一个熔丝程序电路,包含:熔丝元件,使用所述多个金属布线层的最下层的第一金属布线层之上的布线层的布线而形成;以及熔丝晶体管元件,与所述熔丝元件串联连接,并有选择地流过用于进行所述熔丝元件的熔断的电流,其中,用于根据依照熔丝程序信息设定的所述熔丝元件的熔断/未熔断状态而固定地储存与所述内部电路有关的信息;以及

规定的布线层,形成于所述多个金属布线层上,

所述多个金属布线层各自的厚度均薄于所述规定的布线层的厚度,

所述多个金属布线层和所述规定的布线层具有铜布线,

所述熔丝元件由铜构成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述内部电路包含将来自电源节点的电压作为工作电源电压进行工作的核心晶体管元件,

所述熔丝元件耦合在接受来自所述电源节点的电压的节点上,

所述熔丝晶体管元件具备构造与所述核心晶体管元件相同的晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述熔丝程序电路还具备:驱动电路,根据所述熔丝程序信息,有选择地驱动所述熔丝晶体管元件的栅极电压,

所述驱动电路接受来自接受电压电平可变的电压的电压节点的电压,并将其作为工作电源电压。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,

所述驱动电路具备对内部信号的电平进行变换的电平变换电路,

所述电平变换电路接受所述电压节点的电压,作为工作电源电压。

5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,

使所述电压节点的电压比所述内部电路的电源电压节点的电压电平低,直到电源接入时,激活复位信号为止。

6.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,

所述电平变换电路和熔丝晶体管元件形成于与提供所述内部电路的电源电压的基板区域电隔离的阱区内。

7.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,

所述熔丝晶体管元件具有:一个导通端子,利用多层布线耦合于所述熔丝元件上;以及另一导通端子,通过所述多层布线耦合于提供与所述电压节点的电压不同的电压的基准节点上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述至少一个熔丝程序电路具备多个熔丝程序电路,

各所述熔丝程序电路还具备:

多个触发器串中的对应的触发器,以构成传输对所述内部电路状态进行设定的数据的程序扫描通道的方式串联配置;

切断判定电路,耦合在所述熔丝元件上并生成表示所述熔丝元件的状态的信号;以及

多路复用器,将所述切断判定电路的输出信号耦合到所述程序扫描通道的对应的触发器上。

9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述至少一个熔丝程序电路具备多个并联配置的多个熔丝程序电路,

各所述熔丝程序电路还具备选择触发器,

所述选择触发器对应于所述多个熔丝程序电路来配置,而且构成利用移位工作来传输熔丝元件指定信号的熔丝选择扫描通道。

10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述至少一个熔丝程序电路具备多个单独配置的熔丝程序电路,

所述熔丝程序电路还具备:

多个触发器的对应的触发器,以构成传输对所述内部电路状态进行指定的数据的程序扫描通道的方式相互串联连接,而且对应于所述熔丝程序电路而配置;

切断判定电路,耦合于所述熔丝元件上,生成表示所述熔丝元件的状态的信号;以及

多路复用器,选择所述切断判定电路的输出信号与所述程序扫描通道的对应的触发器的输出信号之一,

所述半导体器件还具备:冗余解码器,根据所述多路复用器的输出信号,对被提供的数据进行解码,生成对应于所述内部电路的状态的信号。

11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述至少一个熔丝程序电路包含:多个熔丝程序电路,其中的至少一个包含线宽比其它熔丝程序电路的熔丝元件宽的熔丝元件。

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