[发明专利]半导体元件与其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体元件与其形成方法，应用于堆叠裸片形态的多层内连线结构。首先形成多个穿透基板通孔于半导体基板中。接着薄化半导体基板的背面以露出穿透基板通孔。之后形成绝缘膜于半导体基板背面上与露出的穿透基板通孔上。之后形成的第一导电单元分别电性耦合至每一穿透基板通孔，且第一导电单元延伸于绝缘膜上。接着形成一或多个额外绝缘膜与导电单元。之后形成连线单元如焊球以电性耦合至最上层的导电单元。本发明可避免或减少扩散的问题。

主权项

一种半导体元件，包括：一第一基板；多个穿透基板通孔穿过该第一基板，且所述多个穿透基板通孔自该第一基板的背面凸起；一第一绝缘膜位于该第一基板的背面上及所述多个穿透基板通孔之间，且该第一绝缘膜的上表面未超过凸起的所述多个穿透基板通孔；一第一重新分布层延伸于该第一绝缘膜上，该第一重新分布层具有多个第一导电单元，且所述多个第一导电单元分别电性接触每一穿透基板通孔并延伸于该第一绝缘膜上；一第二绝缘膜位于该第一重新分布层上；以及一第二重新分布层延伸于该第二绝缘膜上，该第二重新分布层具有多个第二导电单元，且所述多个第二导电单元分别电性接触每一第一导电单元并延伸于该第二绝缘膜上。