[发明专利]半导体元件与其形成方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一第一基板；

多个穿透基板通孔穿过该第一基板，且所述多个穿透基板通孔自该第一基板的背面凸起；

一第一绝缘膜位于该第一基板的背面上及所述多个穿透基板通孔之间，且该第一绝缘膜的上表面未超过凸起的所述多个穿透基板通孔；

一第一重新分布层延伸于该第一绝缘膜上，该第一重新分布层具有多个第一导电单元，且所述多个第一导电单元分别电性接触每一穿透基板通孔并延伸于该第一绝缘膜上；

一第二绝缘膜位于该第一重新分布层上；以及

一第二重新分布层延伸于该第二绝缘膜上，该第二重新分布层具有多个第二导电单元，且所述多个第二导电单元分别电性接触每一第一导电单元并延伸于该第二绝缘膜上。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一导电单元包括一籽晶层位于所述多个穿透基板通孔上，以及一导电层位于该籽晶层上。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述多个穿透硅通孔延伸出该第一绝缘膜。

4.一种形成半导体元件的方法，包括：

提供一第一基板，具有多个穿透基板通孔自该第一基板的第一面穿入该第一基板中；

自该第一基板的第二面露出所述多个穿透基板通孔；

沿着该第一基板的第二面形成一第一绝缘膜，且该第一绝缘膜仍露出所述多个穿透基板通孔；

形成一第一导电单元于所述多个穿透基板通孔上，且该第一导电单元延伸于该第一绝缘膜的上表面上；

形成一第二绝缘膜于该第一绝缘膜上及该第一导电单元上；以及

形成一第二导电单元电性耦合至该第一导电单元，且该第二导电单元延伸于该第二绝缘膜的上表面上。

5.如权利要求4所述的形成半导体元件的方法，其中形成该第一导电单元的步骤包括：

形成一籽晶层于该第一绝缘膜上及所述多个穿透基板通孔上；

形成一图案化掩模于该籽晶层上，且该图案化掩模露出部分该籽晶层；

形成一金属垫于露出部分的该籽晶层上；

移除该图案化掩模层；以及

移除未被该金属垫覆盖的部分籽晶层。

6.如权利要求4所述的形成半导体元件的方法，其中形成该第二绝缘膜的步骤包括一自我平坦化技术。

7.如权利要求4所述的形成半导体元件的方法，其中自该第一基板的第二面露出所述多个穿透基板通孔的步骤，包括蚀刻比所述多个穿透基板通孔表面低的第一基板，使所述多个穿透基板通孔凸出该第一基板。

8.一种形成半导体元件的方法，包括：

提供一基板，该基板具有一或多个穿透基板通孔自该基板的电路面延伸至该基板的背面；

形成一重新分布层，包括：

形成一第一绝缘膜于该基板的背面上；

露出至少部分上述一或多个穿透基板通孔；以及

形成多个第一导电单元分别电性耦合至上述一或多个穿透基板通孔，且所述多个第一导电单元延伸于该第一绝缘膜的上表面上；以及

形成一或多个额外重新分布层，包括：

形成一额外绝缘膜于一最上层的绝缘膜上；

露出至少部分较下层的导电单元；以及

形成额外导电单元分别电性耦合至较下层的导电单元，且所述多个额外导电单元延伸于该额外绝缘膜的上表面上。

9.如权利要求8所述的形成半导体元件的方法，其中形成所述多个第一导电单元的步骤包括：

形成一籽晶层于上述一或多个穿透基板通孔上；

形成一图案化掩模层于该籽晶层上，该图案化掩模层露出部分该籽晶层；

形成一导电垫于露出部分的该籽晶层上；以及

移除该图案化掩模层。

10.如权利要求8所述的形成半导体元件的方法，其中露出所述多个穿透基板通孔的步骤包括让该基板的背面凹入，使所述多个穿透基板通孔自该基板的背面凸起。