[发明专利]一种激光刻蚀缺陷的修复方法及装置无效
申请号: | 201010508298.9 | 申请日: | 2010-10-15 |
公开(公告)号: | CN102005503A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 王云;王晖;章志斌;王亚男;王洪振 | 申请(专利权)人: | 河南新能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人: | 张智和 |
地址: | 455000 河南省安阳*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公布了一种薄膜太阳电池制造中激光刻蚀缺陷的修复方法及装置,属于半导体制造领域。该方法包括未刻断的导电玻璃单元,在两个未刻断的单元之间施加一直流电压,所述的直流电压为30—40伏,施加的时长为1—5秒。该装置包括置放经刻蚀的导电玻璃平台,在平台上方与刻蚀线同向设置有横杆,在横杆上绝缘设置有上下往复运动装置,至少两个金属触头和与上下往复运动装置绝缘连接,金属触头的另一端分别与直流电源的正负极输出相连接,本装置能够有效避免单元间细微的连接,提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 刻蚀 缺陷 修复 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种激光刻蚀缺陷的修复方法,包括未刻断的导电玻璃单元,其特征在于:在两个未刻断的单元之间施加一直流电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的