[发明专利]兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构及图形制作方法无效
| 申请号： | 201010507354.7 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102446962A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;孙尧;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构及其图形制作方法；在硅衬底上自下而上依次包括以下的薄膜结构：闸极氧化硅、闸极多晶硅、闸极金属硅化物、垫层氧化硅、顶层氮化硅。采用本发明的闸极膜层结构，不同区域的闸极多晶硅分别掺杂保证了不同型的MOS管的表面沟道，金属硅化物的结构可以满足足够大的驱动电流，而垫层氧化膜则缓冲了自对准孔工艺所需要的氮化硅膜与金属硅化物之间的应力，避免了在之后的高温工艺过程氮化硅膜的剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 兼容 对准 mosfet 膜结构 图形 制作方法 | ||
【主权项】：
一种兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构；其特征在于，在硅衬底上自下而上依次包括以下的薄膜结构：闸极氧化硅、闸极多晶硅、闸极金属硅化物、垫层氧化硅、顶层氮化硅。
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