[发明专利]兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构及图形制作方法无效
| 申请号： | 201010507354.7 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102446962A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;孙尧;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 兼容 对准 mosfet 膜结构 图形 制作方法 | ||
1.一种兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构；其特征在于，在硅衬底上自下而上依次包括以下的薄膜结构：闸极氧化硅、闸极多晶硅、闸极金属硅化物、垫层氧化硅、顶层氮化硅。
2.如权利要求1所述的兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构；其特征在于，所述闸极多晶硅层在NMOS区域为N型掺杂，在PMOS区域为P型掺杂，上述两种MOS形成表面沟道。
3.如权利要求1所述的兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构；其特征在于，所述闸极金属硅化物层厚度为500至1000A。
4.如权利要求1所述的兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构；其特征在于，所述垫层氧化硅厚度为100至300A。
5.如权利要求1所述的兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构；其特征在于，所述顶层氮化硅厚度为1000至2000A。
6.如权利要求1所述的形成兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构，其特征在于，采用低压化学气相沉积的方法形成所述闸极多晶硅层。
7.如权利要求1所述的形成兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构，其特征在于，采用物理气相沉积的方法形成上述闸极金属硅化物层。
8.如权利要求1所述的形成兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构，其特征在于，采用化学气相沉积的方法形成所述垫层氧化硅。
9.如权利要求1所述的形成兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构，其特征在于，采用化学气相沉积的方法形成所述顶层氮化硅。
10.形成如权利要求1所述的兼容自对准孔的MOSFET闸极膜的图形制作方法；其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、从下而上依次形成硅半导体、闸极氧化硅、闸极多晶硅、闸极金属硅化物、垫层氧化硅、氮化硅结构；
步骤二、光刻和蚀刻定义闸极层图形结构；
步骤三、在多晶硅表面热氧化形成修复氧化膜保护闸极结构；
步骤四、采用化学气相沉积方法形成侧墙氮化硅；
步骤五、蚀刻形成侧墙，完成闸极图形。
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