[发明专利]发光二极管磊晶结构有效
| 申请号： | 201010502906.5 | 申请日： | 2010-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102447026A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管磊晶结构，包括一个硅基板、一个布拉格反射层以及一个半导体结构层。所述硅基板具有一个顶面，所述布拉格反射层形成在所述硅基板的顶面上。所述布拉格反射层上透过一个磊晶连接层连接所述半导体结构层。所述半导体结构层与硅基板之间形成有多个孔隙。本发明的布拉格反射层能反射所述半导体结构层射向所述硅基板的光线，提高所述发光二极管磊晶的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管磊晶结构，包括一个硅基板、一个布拉格反射层以及一个半导体结构层，所述硅基板具有一个顶面，所述布拉格反射层形成在所述硅基板的顶面上，所述布拉格反射层透过一个磊晶连接层连接所述半导体结构层，所述半导体结构层与硅基板之间形成有多个孔隙。
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