[发明专利]发光二极管磊晶结构

权利要求书

1.一种发光二极管磊晶结构，包括一个硅基板、一个布拉格反射层以及一个半导体结构层，所述硅基板具有一个顶面，所述布拉格反射层形成在所述硅基板的顶面上，所述布拉格反射层透过一个磊晶连接层连接所述半导体结构层，所述半导体结构层与硅基板之间形成有多个孔隙。

2.如权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：所述布拉格反射层为多层膜的一个氧化物布拉格反射层。

3.如权利要求2所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：所述布拉格反射层使用的材料如Ta₂O₅/SiO₂、TiO₂/SiO₂、SiO₂/HfO₂等。

4.如权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：所述磊晶连接层形成在所述布拉格反射层上，为氧化铝或氮化铝薄膜层。

5.如权利要求4所述的发光二极管磊晶结构所述，其特征在于：所述氧化铝薄膜层的材料为A1₂O₃金属氧化物材料。

6.如权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：所述孔隙在所述硅基板的顶面上设置，所述孔隙位置具有一个阻隔层，所述阻隔层局部分布在所述磊晶连接层图型化的空隙间，使所述布拉格反射层与所述磊晶连接层维持其膜层的完整性。

7.如权利要求6所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：所述阻隔层区隔分布在所述磊晶连接层图型化的空间内，使所述布拉格反射层与所述磊晶连接层具有断开的空间。

8.如权利要求6所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：所述阻隔层的宽度小于所述半导体结构层的厚度，所述阻隔层的顶端被所述半导体结构层覆盖形成封闭构型的孔隙。

9.如权利要求8所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：所述阻隔层的宽度小于所述半导体结构层的2倍厚度，所述封闭构型的孔隙顶端呈锥形并深入到所述半导体结构层内部。

10.如权利要求6所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：所述阻隔层的宽度大于所述半导体结构层的厚度，所述阻隔层的顶端空间为开口构型的所述孔隙。

11.如权利要求10所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：所述阻隔层的宽度大于所述半导体结构层的3倍厚度，所述开口构型的孔隙，在所述半导体结构层上形成网状的沟槽构型，所述沟槽相邻之间的间距，等同于单一发光二极管芯片的边长。

12.如权利要求6所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：所述孔隙在与所述硅基板的底面相对位置间具有相通的通道，所述通道内具有电气材料，所述电气材料使所述半导体结构层的N型III族氮化物半导体与所述N型硅基板电性连接。

13.如权利要求6所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：所述孔隙具有不同宽度的所述阻隔层，所述不同宽度的阻隔层是以大于或小于所述半导体结构层的厚度为区别，所述不同宽度的阻隔层以交错排列方式分布于所述硅基板的顶面上。

14.如权利要求13所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：所述不同宽度的阻隔层是以大于或小于所述半导体结构层的2倍厚度为区别。