[发明专利]发光二极管磊晶结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种磊晶结构，特别是指一种发光二极管的磊晶结构。

背景技术

发光二极管凭借其高光效、低能耗、无污染等优点，已被应用于越来越多的场合之中，大有取代传统光源的趋势。

现有以三族氮化合物为材料的发光二极管芯片通常是由一蓝宝石基板及生长在蓝宝石基板上的三族氮化合物发光结构所构成的。然而此种结构的芯片由于蓝宝石导热性较差，导致整体散热不佳，容易影响芯片工作的寿命。因此目前部分发光二极管芯片是采用硅基板来生长三族氮化合物发光结构，利用硅基板的高热传导率来提升芯片的散热性能。然而，由于所述硅基板具有的能隙关系，会吸收由发光二极管射向所述硅基板的光线，影响所述发光二极管的发光效率。为同时解决这散热与发光效率的问题，已有在所述硅基板的发光二极管结构中增加一个使用氮化铝或氮化镓(AlN/GaN)多层膜形成的布拉格反射层(distributed Bragg reflector，DBR)，用以反射射向所述硅基板的光线增加发光效率。但是，所述布拉格反射层的多层膜容易因为累积应力及热膨胀系数差异过大而造成裂痕(cracking)，为防止所述裂痕产生虽可以减少该多层膜的膜层数方式达到，但却也因而降低了光的反射效果，无法同时达到散热性能与发光效能均佳的状态。

发明内容

有鉴于此有必要提供一种散热性及发光效率均优良的发光二极管磊晶结构。

一种发光二极管磊晶结构，包括一个硅基板、一个布拉格反射层以及一个半导体结构层。所述硅基板具有一个顶面，所述布拉格反射层形成在所述硅基板的顶面上。所述布拉格反射层上透过一个磊晶连接层连接所述半导体结构层。所述半导体结构层与硅基板之间形成有多个孔隙。

相较于现有技术，本发明硅基板具有良好的散热性，同时在所述硅基板顶面上具有布拉格反射层直接反射射向所述硅基板的光线增加发光效率。再者，硅基板与半导体结构层之间形成有多个分离的孔隙，这些孔隙可以防止所述三族氮化合物磊晶结构产生裂痕，从而确保发光二极管磊晶结构具有良好的使用效能。

附图说明

图1为本发明发光二极管磊晶结构的第一实施方式剖视图。

图2为本发明发光二极管磊晶结构的第二实施方式剖视图。

图3为本发明发光二极管磊晶结构的第三实施方式剖视图。

图4为本发明发光二极管磊晶结构的第四实施方式剖视图。

主要元件符号说明