[发明专利]III族氮化物半导体光元件、外延衬底及III族氮化物半导体发光元件的制作方法无效
| 申请号： | 201010501542.9 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102034910A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 上野昌纪;盐谷阳平;京野孝史;善积祐介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供III族氮化物半导体光元件、外延衬底及III族氮化物半导体发光元件的制作方法。III族氮化物半导体光元件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)从与沿该第一III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴Cx正交的面，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向第一III族氮化物半导体的m轴方向倾斜。有源层(17)产生580nm以上800nm以下的波长范围的光。有源层(17)的半导体外延层(19)包含含有铟作为III族构成元素的III族氮化物半导体。第二III族氮化物半导体包含InGaN等。半导体外延层(19)的铟含量为0.35以上0.65以下。半导体外延层(19)的膜厚方向相对基准轴Cx倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 元件 外延 衬底 发光 制作方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体光元件，其中，具备：衬底，其包含III族氮化物半导体；第一III族氮化物半导体区域，其设置在所述衬底的主面上；第二III族氮化物半导体区域，其设置在所述衬底的所述主面上；和有源层，其设置在所述第一III族氮化物半导体区域和所述第二III族氮化物半导体区域之间，所述衬底的所述主面从与沿该III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该III族氮化物半导体的m轴方向倾斜，所述第一III族氮化物半导体区域包含第一导电型半导体层，所述第二III族氮化物半导体区域包含第二导电型半导体层，所述第一III族氮化物半导体区域、所述有源层及所述第二III族氮化物半导体区域沿所述衬底的所述主面的法线轴方向排列，所述有源层以产生580nm以上且800nm以下的波长范围的光的方式设置，所述有源层包含半导体外延层，所述半导体外延层包含氮化镓基半导体，所述氮化镓基半导体含有铟作为III族构成元素，所述半导体外延层的铟含量为0.35以上且0.65以下，所述氮化镓基半导体的c轴相对于所述法线轴倾斜，所述基准轴的方向为所述III族氮化物半导体的[0001]轴及[000‑1]轴的任一轴的方向。
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