[发明专利]镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法

摘要

镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，它涉及热控涂层的制备方法。本发明解决了现有的应用于航天器的铝合金材料重量大，不能满足航天器结构轻量化的要求。本发明的步骤为：一、镁合金表面预处理；二、将主成膜剂、辅助成膜剂、着色添加剂、络合剂、pH调节剂配制成电解液；三、采用脉冲微弧氧化电源供电，在恒定电流模式下反应，即得到镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层。涂层的太阳吸收率为0.80～0.95、红外发射率为0.80～0.90，其重量比铝合金减少28％～33％。可以应用于航天器。

主权项

镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，其特征在于镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法按以下步骤进行：一、镁合金表面预处理：将镁合金浸入浓度为80g/L～120g/L的氢氧化钠水溶液中，在70℃～90℃的温度下保持15min～20min，取出后先用清水冲洗，再用蒸馏水冲洗，烘干；二、配制电解液：按主成膜剂浓度为20g/L～100g/L、辅助成膜剂浓度为1g/L～10g/L、着色添加剂浓度为10g/L～50g/L、络合剂浓度为20g/L～100g/L、PH调节剂浓度为1g/L～5g/L称取主成膜剂、辅助成膜剂、着色添加剂、络合剂、PH调节剂和水，配制成电解液；三、将经步骤一处理的镁合金置于装有经步骤二配制的电解液的不锈钢槽体中，以镁合金做阳极、不锈钢槽体为阴极，采用脉冲微弧氧化电源供电，在电流密度为2A/dm2～10A/dm2，频率为50Hz～2000Hz，占空比为10％～45％、电解液温度为10℃～30℃的条件下氧化5min～30min，然后用蒸馏水清洗镁合金表面并干燥，即得到镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层；其中步骤二中所述的主成膜剂为磷酸盐、硅酸盐和铝酸盐中的一种或其中几种的按任意比的组合，辅助成膜剂为氟化钠、氟化铵、硼砂和氟铝酸钠中的一种或其中几种的按任意比的组合，着色添加剂为含铜、铁元素的无机盐和有机盐；络合剂为氨水、乙二胺和乙二胺四乙酸中的一种或其中几种的按任意比的组合；PH调节剂为氢氧化钾；所述的镁合金的型号为MB2镁合金或MB8镁合金