[发明专利]镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010300689.1 申请日: 2010-01-25
公开(公告)号: CN101748469A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 吴晓宏;秦伟 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C25D11/30 分类号: C25D11/30
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 韩末洙
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 镁合金 表面 太阳 吸收率 发射 率热控 涂层 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及热控涂层的制备方法。

背景技术

近年来随着现代航天技术的发展,航天器如卫星、飞船向大型化、高精度和多功能等方面发展,航天器有效载荷不断增加,因此,对航天器结构轻量化提出了更高要求。用于航天器的材料一般为铝合金,而镁合金的密度为1.73g/cm3,约为铝合金密度的2/3,而且镁合金的比强度和比刚度大,并且具有良好的阻尼性能,能够承受较大的冲击、振动载荷,是未来航空材料的一个发展方向。但是航天器如卫星、飞船在太空工作时,要长期经受太阳、行星、空间低温热尘的交替加热和冷却,这引起航天器内、外表面以及各种仪器设备的高低温剧烈变化,其温度的变化幅度可达±200℃,其基体材料和仪器设备往往无法承受如此恶劣的环境温度变化。因此,为了保证航天器的正常工作,在材料表面制备热控涂层,使航天器的结构、仪器设备在高低温运行工况下都不超出允许的温度范围。公开号为CN101139729A的中国专利公开了一种在铝合金基体上制备高太阳吸收率高发射率热控涂层的方法,但是将该方法在镁合金表面制备的涂层的太阳吸收率为0.4~0.7,发射率仅为0.7,不能满足航空材料高发射率的要求。目前尚无在镁合金表面制备的高太阳吸收率高发射率热控涂层的报道。

发明内容

本发明是为了解决现有的微弧氧化方法不能在镁合金表面制备高太阳吸收率高发射率涂层的技术问题,而提供MB2镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法。

本发明的MB2镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法,按以下步骤进行:一、镁合金表面预处理:将镁合金浸入浓度为80g/L~120g/L的氢氧化钠水溶液中,在70℃~90℃的温度下保持15min~20min,取出后先用清水冲洗,再用蒸馏水冲洗,烘干;二、配制电解液:按主成膜剂浓度为20g/L~100g/L、辅助成膜剂浓度为1g/L~10g/L、着色添加剂浓度为10g/L~50g/L、络合剂浓度为20g/L~100g/L、pH调节剂浓度为1g/L~5g/L称取主成膜剂、辅助成膜剂、着色添加剂、络合剂、pH调节剂和水,配制成电解液;三、将经步骤一处理的镁合金置于装有经步骤二配制的电解液的不锈钢槽体中,以镁合金做阳极、不锈钢槽体为阴极,采用脉冲微弧氧化电源供电,在电流密度为2A/dm2~10A/dm2,频率为50Hz~2000Hz,占空比为10%~45%、电解液温度为10℃~30℃的条件下氧化5min~30min;然后用蒸馏水清洗表面并干燥,即得到镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层;其中步骤二中所述的主成膜剂为磷酸盐、硅酸盐和铝酸盐中的一种或其中几种按任意比的组合,辅助成膜剂为氟化钠、氟化铵、硼砂和氟铝酸钠中的一种或其中几种的按任意比的组合,着色添加剂为含铜、铁元素的无机盐和有机盐;pH调节剂为氢氧化钾;络合剂为乙二胺和乙二胺四乙酸中的一种或其中两种按任意比的组合。

所述的镁合金的型号为MB2镁合金。

本发明的镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法,采用微弧氧化技术,以镁合金为基体,在镁合金表面原位生长一层陶瓷膜,并将具有高红外发射率的过渡金属掺杂到膜层中,该膜层的太阳吸收率为0.80~0.95、红外发射率为0.80~0.90,与现有铝合金表面的热控涂层的性能相同,并且镁合金的比强度和比刚度与铝合金大,其重量可以减少28%~33%,可以替代铝合金应用于航天器上,该热控涂层是在基体上原位生成,与底层材料结合强度高,不会因为环境的急冷急热在基体和陶瓷涂层之间产生裂纹,而且避免了化学稳定性低的镁与外界接触而发生腐蚀,提高了合金的耐蚀性。

具体实施方式

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