[发明专利]镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法

权利要求书

1.MB2镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，其特征在于镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法按以下步骤进行：一、镁合金表面预处理：将镁合金浸入浓度为80g/L～120g/L的氢氧化钠水溶液中，在70℃～90℃的温度下保持15min～20min，取出后先用清水冲洗，再用蒸馏水冲洗，烘干；二、配制电解液：按主成膜剂浓度为20g/L～100g/L、辅助成膜剂浓度为1g/L～10g/L、着色添加剂浓度为10g/L～50g/L、络合剂浓度为20g/L～100g/L、pH调节剂浓度为1g/L～5g/L称取主成膜剂、辅助成膜剂、着色添加剂、络合剂、pH调节剂和水，配制成电解液；三、将经步骤一处理的镁合金置于装有经步骤二配制的电解液的不锈钢槽体中，以镁合金做阳极、不锈钢槽体为阴极，采用脉冲微弧氧化电源供电，在电流密度为2A/dm²～10A/dm²，频率为50Hz～2000Hz，占空比为10%～45%、电解液温度为10℃～30℃的条件下氧化5min～30min，然后用蒸馏水清洗镁合金表面并干燥，即得到镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层；其中步骤二中所述的主成膜剂为磷酸盐、硅酸盐和铝酸盐中的一种或其中几种的按任意比的组合，辅助成膜剂为氟化钠、氟化铵、硼砂和氟铝酸钠中的一种或其中几种的按任意比的组合，着色添加剂为含铜、铁元素的无机盐或有机盐；络合剂为乙二胺和乙二胺四乙酸中的一种或其中几种的按任意比的组合；pH调节剂为氢氧化钾；所述的镁合金的型号为MB2镁合金。

2.根据权利要求1所述的MB2镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，其特征在于步骤一中镁合金浸入浓度为85g/L～115g/L的氢氧化钠水溶液中，在75℃～85℃的温度下保持16min～19min。

3.根据权利要求1或2所述的MB2镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，其特征在于步骤二中按主成膜剂浓度为30g/L～90g/L、辅助成膜剂浓度为2g/L～8g/L、着色添加剂浓度为15g/L～45g/L、络合剂浓度为30g/L～90g/L、pH调节剂浓度为1.5g/L～4.5g/L称取主成膜剂、辅助成膜剂、着色添加剂、络合剂、pH调节剂和水，配制成电解液。

4.根据权利要求1或2所述的MB2镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，其特征在于步骤三中镁合金在电流密度为5A/dm²，频率为500Hz，占空比为35%、电解液温度为20℃的条件下氧化10min。

5.根据权利要求1或2所述的MB2镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，其特征在于步骤三中镁合金在电流密度为6A/dm²，频率为700Hz，占空比为25%、电解液温度为20℃的条件下氧化15min。

6.根据权利要求1或2所述的MB2镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，其特征在于步骤二中按硅酸钠的浓度为30g/L、氟铝酸钠的浓度为8g/L、硫酸铜的浓度为35g/L、乙二胺四乙酸的浓度为50g/L、氢氧化钾浓度为2g/L称取硅酸钠、氟铝酸钠、硫酸铜、乙二胺四乙酸、氢氧化钾和水，配制成电解液；步骤三中MB2镁合金在电流密度为4A/dm²，频率为700Hz，占空比为45%、电解液温度为20℃的条件下氧化10min。

7.根据权利要求1或2所述的MB2镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，其特征在于步骤二中按磷酸钠的浓度为80g/L、氟化铵的浓度为10g/L、硫酸铜的浓度为40g/L、乙二胺四乙酸的浓度为35g/L、氢氧化钾浓度为3g/L称取磷酸钠、氟化铵、硫酸铜、乙二胺四乙酸、氢氧化钾和水，配制成电解液；步骤三中MB2镁合金在电流密度为3A/dm²，频率为2000Hz，占空比为15%、电解液温度为25℃的条件下氧化25min。

8.根据权利要求1或2 所述的MB2镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，其特征在于步骤二中按硅酸钠的浓度为75g/L、氟铝酸钠的浓度为10g/L、硫酸铁的浓度为30g/L、乙二胺四乙酸的浓度为60g/L、氢氧化钾浓度为5g/L称取硅酸钠、氟铝酸钠、硫酸铁、乙二胺四乙酸、氢氧化钾和水，配制成电解液；步骤三中MB2镁合金在电流密度为10A/dm²，频率为50Hz，占空比为45%、电解液温度为25℃的条件下氧化6min。