[发明专利]高电压装置以及形成高电压装置的方法有效
| 申请号： | 201010299853.1 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102082174A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 姚智文;潘善仁;柳瑞兴;周学良;蒋柏煜;陈吉智;段孝勤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾300新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露具有栅极接口结构的高电压装置及用以形成高电压装置的方法，高电压装置包含基板、栅极接口结构、栅极、金属层以及至少一源/漏极区间。其中，栅极接口结构位于基板上方且具有第一部分与第二部分。第一部分具有第一厚度，且位于基板中第一掺杂型的第一井区间上。第二部分具有第二厚度，且位于第二掺杂型的一第二井区间上。第一厚度大于第二厚度。栅极设置于栅极介电结构上。金属层设置于栅极上且与栅极耦接，金属层沿着该栅极介电结构下方的通道的方向延伸。源/漏极区间设置于第一掺杂型的第一井区间中。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 装置 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种高电压装置，其特征在于，包含：一栅极介电结构，其位于一基板上，该栅极介电结构具有一第一部分以及一第二部分，该第一部分具有一第一厚度且位于该基板中一第一掺杂型的一第一井区间上，该第二部分具有一第二厚度且位于一第二掺杂型的一第二井区间上，该第一厚度大于该第二厚度；一栅极，其设置于该栅极介电结构上；一金属层，其设置于该栅极上且与该栅极耦接，该金属层沿着该栅极介电结构下方的一通道的方向延伸；以及至少一源/漏极区间，其设置于该第一掺杂型的该第一井区间中。
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