[发明专利]高电压装置以及形成高电压装置的方法有效
| 申请号： | 201010299853.1 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102082174A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 姚智文;潘善仁;柳瑞兴;周学良;蒋柏煜;陈吉智;段孝勤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾300新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 装置 以及 形成 方法 | ||
1.一种高电压装置，其特征在于，包含：
一栅极介电结构，其位于一基板上，该栅极介电结构具有一第一部分以及一第二部分，该第一部分具有一第一厚度且位于该基板中一第一掺杂型的一第一井区间上，该第二部分具有一第二厚度且位于一第二掺杂型的一第二井区间上，该第一厚度大于该第二厚度；
一栅极，其设置于该栅极介电结构上；
一金属层，其设置于该栅极上且与该栅极耦接，该金属层沿着该栅极介电结构下方的一通道的方向延伸；以及
至少一源/漏极区间，其设置于该第一掺杂型的该第一井区间中。
2.根据权利要求1所述的高电压装置，其特征在于，该第一厚度介于300埃与1,000埃之间。
3.根据权利要求1所述的高电压装置，其特征在于，该金属层具有一第一边缘，该栅极具有一第二边缘，该至少一源/漏极区间具有一第三边缘，且该第一边缘位于该第二边缘与该第三边缘之间。
4.根据权利要求3所述的高电压装置，其特征在于，在该第二边缘与该第三边缘之中该第一边缘较接近该第三边缘。
5.根据权利要求1所述的高电压装置，其特征在于，该第一部分以及该第二部分具有一交界，且该交界位于该第一掺杂型的该第一井区间上。
6.根据权利要求1所述的高电压装置，其特征在于，该高电压装置的该栅极与该至少一源/漏极区间之间无需设置任何隔离结构。
7.一种用以形成高电压装置的方法，其特征在于，包含下列步骤：
形成一栅极介电结构于一基板上，该栅极介电结构具有一第一部分以及一第二部分，该第一部分具有一第一厚度且位于该基板中一第一掺杂型的一第一井区间上，该第二部分具有一第二厚度且位于一第二掺杂型的一第二井区间上，该第一厚度大于该第二厚度；
形成一栅极于该栅极介电结构上；
形成至少一源/漏极区间于该第一掺杂型的该第一井区间中；以及
形成一金属层并使其耦接至该栅极或该至少一源/漏极区间，该金属层沿着该栅极介电结构下方的一通道的方向延伸。
8.根据权利要求7所述的用以形成高电压装置的方法，其特征在于，形成该栅极介电结构包含下列步骤：
形成该栅极介电结构的该第一部分；以及
形成该栅极介电结构的该第二部分，其中该第一部分与该第二部分由分别的工艺形成。
9.根据权利要求8所述的用以形成高电压装置的方法，其特征在于，形成该栅极介电结构进一步包含下列步骤：
形成一交界于该第一部分与该第二部分之间，且该交界位于该第一掺杂型的该第一井区间上。
10.根据权利要求7所述的用以形成高电压装置的方法，其特征在于，形成该金属层包含下列步骤：
定义该金属层的一边缘，其中该金属层的该边缘位于该栅极的一边缘与该至少一源/漏极区间的一边缘之间，其中在该栅极的该边缘与该至少一源/漏极区间的该边缘之中该金属层的该边缘较接近该至少一源/漏极区间的该边缘。
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