[发明专利]高电压装置以及形成高电压装置的方法有效

申请号：	201010299853.1	申请日：	2010-09-28
公开（公告）号：	CN102082174A	公开（公告）日：	2011-06-01
发明（设计）人：	姚智文;潘善仁;柳瑞兴;周学良;蒋柏煜;陈吉智;段孝勤	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	陈红
地址：	中国台湾300新竹***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	电压装置以及形成方法
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【说明书】：

技术领域

本发明是有关于一种半导体电路，且特别是有关于一种高电压装置、系统以及形成该高电压装置的方法。

背景技术

在目前的消费市场上，使用者渴望拥有更轻薄、具可移植性且价格平易近人的各种消费性电子产品。为了对应此种需求，许多的电子产品制造商投入研发并生产可在较低的电源供应电压下运作的低功耗集成电路。然而，电子装置中部分的组件所需的操作电压可能比上述电源供应电压来得高。举例来说，液晶显示驱动电路中便需要设置高电压金属氧化物半导体(high voltagemetal-oxide-semiconductor，HV MOS)晶体管以驱动液晶显示器的像素单元。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高电压装置及用以形成高电压装置的方法。

本发明的一实施方式是在提供一种高电压装置，其包含栅极介电结构、栅极、金属层以及至少一源/漏极区间。

根据一具体实施例，栅极介电结构其位于基板上，栅极介电结构具有第一部分以及第二部分，第一部分具有第一厚度且位于基板中第一掺杂型的第一井区间上，第二部分具有第二厚度且位于第二掺杂型的第二井区间上，第一厚度大于第二厚度。栅极设置于栅极介电结构上。金属层设置于栅极上且与栅极耦接，金属层沿着栅极介电结构下方的通道的方向延伸。源/漏极区间设置于第一掺杂型的第一井区间中。

本发明的另一实施方式是在提供一种高电压装置，其包含栅极介电结构、栅极、至少一源/漏极区间以及金属层。

根据一具体实施例，栅极介电结构位于基板上，栅极介电结构具有第一部分以及第二部分，第一部分具有第一厚度且位于基板中第一掺杂型的第一井区间上，第二部分具有第二厚度且位于第二掺杂型的第二井区间上，第一厚度大于第二厚度。栅极设置于栅极介电结构上。源/漏极区间设置于第一掺杂型的第一井区间中。金属层与源/漏极区间耦接，金属层沿着栅极介电结构下方的通道的方向延伸。

本发明的另一实施方式是在提供一种用以形成高电压装置的方法。

根据一具体实施例，此方法包含下列步骤：(1)形成栅极介电结构于基板上，栅极介电结构具有第一部分以及第二部分，第一部分具有第一厚度且位于基板中第一掺杂型的第一井区间上，第二部分具有第二厚度且位于第二掺杂型的第二井区间上，第一厚度大于第二厚度；(2)形成栅极于栅极介电结构上；(3)形成至少一源/漏极区间于第一掺杂型的第一井区间中；以及(4)形成金属层并使其耦接至栅极或源/漏极区间，金属层沿着栅极介电结构下方的通道的方向延伸。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

图1A为一种例示性的高电压装置的剖面结构示意图；

图1B是已知的横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused MOS，LDMOS)晶体管与本案的高电压装置100两者的崩溃电压仿真结果图；

图2为另一种例示性的高电压装置的剖面结构示意图；

图3A至图3E为例示性的剖面结构示意图以说明一种形成高电压装置的方法；

图4为一种系统包含例示性的集成电路的示意图。

【主要组件符号说明】

100：高电压装置 101：基板

103：井区间 105：井区间

107：本体区间 109a：隔离结构

109b：隔离结构 110：栅极介电结构