[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201010299252.0 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437184A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 叶秋显;吴俊元;简金城 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包含有基底、栅极结构、源/漏极区域、凹槽以及外延层。基底包含上表面。栅极结构位于基底的上表面上。源/漏极区域位于栅极结构侧边的基底中。凹槽位于源/漏极区域中。外延层填满凹槽，且外延层的截面形状为八边形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含有：基底，包含上表面；栅极结构，位于该上表面上；至少一源/漏极区域，位于该栅极结构侧边的该基底中；凹槽，位于该源/漏极区域中；以及外延层，填满该凹槽，且该外延层的截面形状为八边形。
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