[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包含有：

基底，包含上表面；

栅极结构，位于该上表面上；

至少一源/漏极区域，位于该栅极结构侧边的该基底中；

凹槽，位于该源/漏极区域中；以及

外延层，填满该凹槽，且该外延层的截面形状为八边形。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该八边形包含正八边形。

3.如权利要求1所述的半导体工艺，其中该凹槽至少包含垂直侧壁、斜侧壁以及平底面，且该平底面平行该上表面。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该基底包含单晶硅材，且该基底的结晶面由硅的<100>、<110>以及<111>面所组成。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该上表面沿着硅的<100>面的方向，而该斜侧壁包含沿着硅的<111>面的方向。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其中该上表面沿着硅的<110>面的方向，而该斜侧壁包含沿着硅的<111>面的方向。

7.如权利要求3所述的半导体结构，其中该栅极结构包含栅极介电层，栅极电极位于该栅极介电层上，以及间隙壁环绕于该栅极电极与该栅极介电层。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该垂直侧壁位于该栅极介电层的下方。

9.如权利要求7所述的半导体结构，其中该垂直侧壁位于该间隙壁的下方。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该外延层包含硅锗外延层或硅碳外延层。

11.一种半导体结构，包含有：

基底，包含上表面；

栅极结构，位于该上表面上；

至少一源/漏极区域，位于该栅极结构侧边的该基底中；

第一凹槽，位于该源/漏极区域中，且该第一凹槽至少具有垂直侧壁、斜侧壁以及平底面；以及

外延层，填满该第一凹槽。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其中该平底面平行该上表面。

13.如权利要求11所述的半导体结构，其中该基底包含单晶硅材，且该基底的结晶面由硅的<100>、<110>以及<111>面所组成。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其中该上表面沿着硅的<100>面的方向，而该斜侧壁包含沿着硅的<111>面的方向。

15.如权利要求13所述的半导体结构，其中该上表面沿着硅的<110>面的方向，而该斜侧壁包含沿着硅的<111>面的方向。

16.如权利要求11所述的半导体结构，其中该栅极结构包含栅极介电层，栅极电极位于该栅极介电层上，以及间隙壁环绕于该栅极电极与该栅极介电层。

17.如权利要求16所述的半导体结构，其中该垂直侧壁位于该栅极介电层的下方。

18.如权利要求16所述的半导体结构，其中该垂直侧壁位于该间隙壁的下方。

19.如权利要求11所述的半导体结构，还包含第二凹槽位于该栅极结构相对该第一凹槽的另一侧的该基底中。

20.如权利要求19所述的半导体结构，其中该第二凹槽的垂直侧壁位于该栅极结构的下方。

21.如权利要求20所述的半导体结构，还包含栅极沟道设于该栅极结构下方的该基底中，并位于该第一凹槽的该斜侧壁与该第二凹槽的斜侧壁之间。