[发明专利]提高高精度微小型SMD晶体谐振器可靠性的方法无效
| 申请号： | 201010296700.1 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101977028A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 吴成秀;吴亚华 | 申请（专利权）人： | 铜陵市峰华电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/05 | 分类号： | H03H9/05;H03H9/19 |
| 代理公司： | 合肥诚兴知识产权代理有限公司 34109 | 代理人： | 汤茂盛 |
| 地址： | 244000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高高精度微小型SMD晶体谐振器可靠性的方法，包括晶片镀膜、点胶及封焊步骤；在晶片镀膜前，先在晶片主电极引出端和/或副电极引出端点胶区域设置非镀层区域，该非镀层区域面积为0.045～0.055mm2；晶片镀膜时，先在晶片镀膜区域镀一层厚度为6.0~6.5nm的金属Cr，然后在Cr层上按常规方法镀上银电极。本发明优点是银层附着力好，导电胶有一部分直接与晶片本体接触，既不影响产品的导电性能，又加强了晶片与基座之间的粘接强度，从而提高晶体谐振器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 高精度 微小 smd 晶体 谐振器 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
提高高精度微小型SMD晶体谐振器可靠性的方法，包括晶片镀膜、点胶及封焊步骤，其特征在于：在晶片镀膜前，先在晶片（1）的主电极引出端(4)和/或副电极引出端(2)点胶区域设置非镀层区域(5和/或3)，该非镀层区域(5和/或3)面积为0.045～0.055mm2；晶片镀膜时，先在晶片镀膜区域镀一层厚度为6.0~6.5nm的金属Cr，然后在Cr层上按常规方法镀上银电极。
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