[发明专利]呋喃它酮残留物无标记阻抗型免疫传感器及制备方法和应用无效

专利信息
申请号: 201010295008.7 申请日: 2010-10-15
公开(公告)号: CN101957375A 公开(公告)日: 2011-01-26
发明(设计)人: 金文杰;杨功俊;秦爱建;吴丽萍;王倩倩;邵红霞;钱琨;余兵;李东明;蔡宝亮 申请(专利权)人: 扬州大学
主分类号: G01N33/558 分类号: G01N33/558;G01N27/02;G01N27/30
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 卢亚丽
地址: 225009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器,及其制备方法和应用,所说的该传感器通过金胶制备、金电极的预处理、1,4-苯二硫醇修饰金电极、单层纳米金胶的自组装和抗体的固定5个步骤而制得。其特征在于是将纳米金通过自组装方法固定于金电极表面,用来固定呋喃它酮残留物的单克隆抗体而构建得到。使用时,先建立阻抗的相对变化率%△Rct与AMOZ浓度的关系,再根据待测样品的阻抗相对变化率%△Rct就可确定其AMOZ浓度。采用本发明的传感器和检测方法具有快速简便的特点,解决当前呋喃它酮残留检测操作费时的缺陷。
搜索关键词: 呋喃 残留物 标记 阻抗 免疫 传感器 制备 方法 应用
【主权项】:
一种呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器,其特征在于是通过以下方法制备得到:(1)金胶的制备:制备金纳米粒子溶液;(2)金电极的预处理:金电极先分别用0.3,0.05μm的三氧化二铝粉末在丝绸上抛光,然后依次用二次水和无水乙醇超声清洗;再将抛光处理好的金电极置于0.5M H2SO4溶液中,在‑0.5到+1.4V范围内进行循环伏安扫描25圈,扫速为0.1V s‑1;然后将电极在氮氛下干燥;(3)1,4‑苯二硫醇修饰金电极:将预处理好的金电极浸入15 mM的1,4‑苯二硫醇的无水乙醇溶液中,4oC下放置10 min,然后用无水乙醇冲洗表面,然后在氮氛下干燥;(4)单层纳米金胶的自组装:将自组装了1,4‑苯二硫醇的金电极浸入金胶溶液中,放在暗处置于室温下5h后,取出后用二次水冲洗表面;(5)抗体的固定:将纳米金修饰电极浸入含0.030 mg/mL AMOZ抗体的磷酸缓冲溶液(pH7.0)中,于4°C下放置12 h;电极取出后再放入10.0 mg/mL的牛血清蛋白中,置于37.5oC水浴中1小时,以封闭非特异性位点;最后再将电极取出后用二次水冲洗以除去表面多余的牛血清蛋白;即制得呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器。
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