[发明专利]呋喃它酮残留物无标记阻抗型免疫传感器及制备方法和应用

权利要求书

1.一种呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器，其特征在于是通过以下方法制备得到：

（1）金胶的制备：制备金纳米粒子溶液；

（2）金电极的预处理：金电极先分别用0.3，0.05μm的三氧化二铝粉末在丝绸上抛光，然后依次用二次水和无水乙醇超声清洗；再将抛光处理好的金电极置于0.5M H2SO4溶液中，在-0.5到+1.4V范围内进行循环伏安扫描25圈，扫速为0.1V s-1；然后将电极在氮氛下干燥；

（3）1，4-苯二硫醇修饰金电极：将预处理好的金电极浸入15 mM的1，4-苯二硫醇的无水乙醇溶液中，4oC下放置10 min，然后用无水乙醇冲洗表面，然后在氮氛下干燥；

（4）单层纳米金胶的自组装：将自组装了1，4-苯二硫醇的金电极浸入金胶溶液中，放在暗处置于室温下5h后，取出后用二次水冲洗表面；

（5）抗体的固定：将纳米金修饰电极浸入含0.030 mg/mL AMOZ抗体的磷酸缓冲溶液（pH7.0）中，于4°C下放置12 h；电极取出后再放入10.0 mg/mL的牛血清蛋白中，置于37.5^oC水浴中1小时，以封闭非特异性位点；最后再将电极取出后用二次水冲洗以除去表面多余的牛血清蛋白；即制得呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器。

2.一种制备呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）金胶的制备：制备金纳米粒子溶液；

（2）金电极的预处理：金电极先分别用0.3，0.05μm的三氧化二铝粉末在丝绸上抛光，然后依次用二次水和无水乙醇超声清洗；再将抛光处理好的金电极置于0.5M H2SO4溶液中，在-0.5到+1.4V范围内进行循环伏安扫描25圈，扫速为0.1V s-1；然后将电极在氮氛下干燥；

（3）1，4-苯二硫醇修饰金电极：将预处理好的金电极浸入15 mM的1，4-苯二硫醇的无水乙醇溶液中，4oC下放置10 min，然后用无水乙醇冲洗表面，然后在氮氛下干燥；

（4）单层纳米金胶的自组装：将自组装了1，4-苯二硫醇的金电极浸入金胶溶液中，放在暗处置于室温下5h后，取出后用二次水冲洗表面；

（5）抗体的固定：将纳米金修饰电极浸入含0.030 mg/mL AMOZ抗体的磷酸缓冲溶液（pH7.0）中，于4°C下放置12 h；电极取出后再放入10.0 mg/mL的牛血清蛋白中，置于37.5^oC水浴中1小时，以封闭非特异性位点；最后再将电极取出后用二次水冲洗以除去表面多余的牛血清蛋白；即制得呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器。

3.用权利要求1所述阻抗型免疫传感器检测呋喃它酮残留物的方法，包括以下步骤：

（1）建立阻抗的相对变化率%△R_ct与AMOZ浓度的关系：测定阻抗型免疫传感器的起始阻抗值R_ct(BSA) ，以及阻抗型免疫传感器分别与不同浓度的AMOZ标准溶液进行免疫反应后阻抗值R_ct(AMOZ-Ab) ，按公式                                                计算出阻抗的相对变化率 %△R_ct；阻抗的相对变化率%△R_ct与AMOZ浓度对数在1.0 到1.0 ?? 10⁶ ng/mL范围内呈线性关系, 检测限为1.0 ng/mL；其中所说的免疫反应条件是在pH7.4的磷酸盐缓冲溶液中进行，37.5°C温育3h；

（2）按照步骤（1）的方法和条件将阻抗型免疫传感器与待测物溶液进行免疫反应，测定阻抗值，计算得到抗体与AMOZ反应后引起阻抗的相对变化率%△R_ct；

（3）根据步骤（1）确定的阻抗的相对变化率%△R_ct与AMOZ浓度的关系，确定出待测物溶液中AMIOZ残留物含量。