[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201010293737.9 | 申请日： | 2010-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102054846A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 南承熙 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;王凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法，其可以保证对准容限并且缩减掩模步骤的数量。根据本发明的一种薄膜晶体管基板包括：选通线和数据线，所述选通线和数据线彼此交叉以限定像素，位于所述数据线下方的栅金属图案，位于所述像素中的薄膜晶体管，其具有栅极、源极以及漏极，以及像素电极，其通过连接电极连接至所述薄膜晶体管的所述漏极，其中，所述数据线具有多个第一缝隙以将所述栅金属图案与所述选通线断开。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：选通线和数据线，所述选通线和数据线彼此交叉以限定像素，位于所述数据线下方的栅金属图案，位于所述像素中的薄膜晶体管，其具有栅极、源极以及漏极，以及像素电极，其通过连接电极连接至所述薄膜晶体管的所述漏极，其中，所述数据线具有多个第一缝隙以将所述栅金属图案与所述选通线断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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