[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：

选通线和数据线，所述选通线和数据线彼此交叉以限定像素，

位于所述数据线下方的栅金属图案，

位于所述像素中的薄膜晶体管，其具有栅极、源极以及漏极，以及

像素电极，其通过连接电极连接至所述薄膜晶体管的所述漏极，

其中，所述数据线具有多个第一缝隙以将所述栅金属图案与所述选通线断开。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述源极从所述数据线延伸，并且具有多个第二缝隙以将所述栅金属图案与所述栅极断开。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述漏极具有多个第三缝隙以将所述像素电极与所述栅极断开。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板还包括存储电容器电极，该存储电容器电极与所述选通线部分地交叠，其中，所述存储电容器电极具有多个第四缝隙以将所述像素电极与所述选通线断开。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述选通线和所述薄膜晶体管的所述栅极至少具有包括透明导电层和不透明导电层的双层结构。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述像素电极包括所述透明导电层和所述不透明导电层，并且其中，所述像素电极的所述透明导电层被所述不透明导电层包围。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述薄膜晶体管的所述漏极通过漏接触孔利用所述连接电极连接至所述像素电极的所述不透明导电层。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其中，所述漏接触孔穿过所述漏极、欧姆接触层、有源层、栅绝缘膜，并且露出所述像素电极的所述不透明导电层。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板还包括选通焊盘，该选通焊盘从所述选通线延伸并且具有选通焊盘下电极和选通焊盘上电极，其中，所述选通焊盘上电极通过栅接触孔连接至所述选通焊盘下电极。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板还包括数据焊盘，该数据焊盘从所述数据线延伸并且具有数据焊盘下电极和数据焊盘上电极，其中，所述数据焊盘上电极通过数据接触孔连接至所述数据焊盘下电极。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其中，所述数据焊盘包括位于所述数据焊盘下电极与所述数据焊盘上电极之间的栅绝缘图案、有源层以及欧姆接触层。

12.一种用于制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括以下步骤：

通过第一构图工序在基板上形成包括选通线、栅金属图案以及薄膜晶体管的栅极的第一导电图案组，栅绝缘图案，半导体图案，包括数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极的第二导电图案组，像素电极，以及用于将所述栅金属图案与所述选通线断开的多个第一缝隙；以及

通过第二构图工序形成将所述漏极连接至所述像素电极的连接电极。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一构图工序还包括以下步骤：在所述源极中形成多个第二缝隙以将所述栅金属图案与所述栅极断开。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一构图工序还包括以下步骤：在所述漏极中形成多个第三缝隙以将所述像素电极与所述栅极断开。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一构图工序还包括以下步骤：在与所述选通线部分地交叠的存储电容器电极中形成多个第四缝隙以将所述像素电极与所述选通线断开。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一构图工序包括以下步骤：利用软模形成具有至少四个不同高度的蚀刻抗蚀剂。