[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明涉及的半导体元件的特征在于包括：第一导电型的半导体基板；在此半导体基板上形成的第一导电型的漏极层；在此漏极层上形成的第二导电型的第一主体层；第一导电型的多个源极层；以及填埋在多个沟槽内的栅极电极；其中所述第一导电型的多个源极层在所述第一主体层表面，在第一方向及与此第一方向正交的第二方向上隔开配置成交错格子状；所述多个沟槽在所述第一主体层表面的第三方向上延伸，且排列在与所述第三方向正交的第四方向上，并贯穿所述源极层及所述第一主体层而到达所述漏极层内；所述栅极电极隔着绝缘膜填埋于所述沟槽内。所述第四方向上的所述源极层的宽度、及所述源极层与相邻的源极层的间隔之和，小于相邻的所述沟槽的间隔。

主权项

一种半导体元件，其特征在于包括：第一导电型的半导体基板；第一导电型的漏极层，设置在所述半导体基板上，且杂质浓度低于所述半导体基板；第二导电型的第一主体层，设置在所述漏极层表面；第一导电型的多个源极层，在所述第一主体层表面，在第一方向上以第一间隔、而在与所述第一方向正交的第二方向上以第二间隔隔开配置成交错格子状，且在所述第一方向上具有第一宽度，在所述第二方向上具有第二宽度；多个沟槽，在所述第一主体层表面的第三方向上延伸，且排列在与所述第三方向正交的第四方向上，并贯穿所述源极层及所述第一主体层而到达所述漏极层内；以及栅极电极，隔着栅极绝缘膜填埋于所述沟槽内，所述栅极绝缘膜设置在所述沟槽的底部及侧面；且所述第四方向上的所述源极层的宽度、及所述源极层与相邻的源极层的间隔之和，小于相邻的所述沟槽的间隔。