[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于包括：

第一导电型的半导体基板；

第一导电型的漏极层，设置在所述半导体基板上，且杂质浓度低于所述半导体基板；

第二导电型的第一主体层，设置在所述漏极层表面；

第一导电型的多个源极层，在所述第一主体层表面，在第一方向上以第一间隔、而在与所述第一方向正交的第二方向上以第二间隔隔开配置成交错格子状，且在所述第一方向上具有第一宽度，在所述第二方向上具有第二宽度；

多个沟槽，在所述第一主体层表面的第三方向上延伸，且排列在与所述第三方向正交的第四方向上，并贯穿所述源极层及所述第一主体层而到达所述漏极层内；以及

栅极电极，隔着栅极绝缘膜填埋于所述沟槽内，所述栅极绝缘膜设置在所述沟槽的底部及侧面；且

所述第四方向上的所述源极层的宽度、及所述源极层与相邻的源极层的间隔之和，小于相邻的所述沟槽的间隔。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一间隔与所述第一宽度、及所述第二间隔与所述第二宽度分别在所述第一方向及所述第二方向上不规则地变化。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一间隔与所述第一宽度、及所述第二间隔与所述第二宽度分别在所述第一方向及所述第二方向上为固定。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于：

在所述源极层间的所述第一主体层表面还设置着第二导电型的第二主体层，该第二主体层与所述源极层邻接且杂质浓度高于所述第一主体层；所述第二主体层在所述第一主体层的表面配置成交错格子状。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于：

所述第二主体层的平面形状为圆形或者n边形(n≥3)的形状。

6.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于：

还包括第二导电型的第三主体层，其杂质浓度高于所述第一主体层且在所述第四方向上延伸，所述沟槽贯穿所述第三主体层。

7.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一方向与所述第三方向不平行。

8.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一方向与所述第三方向平行，所述源极层的所述第二间隔与所述第二宽度之和，小于所述第四方向上相邻的所述沟槽的所述间隔。

9.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于：

还包括第二导电型的第二主体层，其杂质浓度高于所述第一主体层且在所述第四方向上延伸，所述沟槽贯穿所述第二主体层，在配置成所述交错格子状的所述源极层之间，所述第一主体层的表面露出。

10.根据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一方向与所述第三方向不平行。

11.根据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一方向与所述第三方向平行，所述源极层的所述第二间隔与所述第二宽度之和，小于所述第四方向上相邻的所述沟槽的所述间隔。

12.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于：

还包括第二导电型的第二主体层，其杂质浓度高于所述第一主体层且在从所述第四方向倾斜的方向上延伸，所述沟槽贯穿所述第二主体层，在配置成所述交错格子状的所述源极层之间，所述第一主体层的表面露出。