[发明专利]一种具有亚微米结构的OLED制造工艺无效
| 申请号： | 201010286694.1 | 申请日： | 2010-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101969104A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王莉;丁玉成;原俊文;罗钰;何众贇;邝俊生 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;西安瑞特快速制造工程研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有亚微米结构的OLED制造工艺，包括下述步骤：(a)制备二氧化硅薄膜：通过磁控溅射在玻璃基片上覆上一层二氧化硅薄膜；(b)二氧化硅图形化：在步骤(a)所述的二氧化硅薄膜上制作纳米图形结构；(c)制作OLED结构阳极：在二氧化硅上均匀旋涂一层ITO导电溶胶，使其作为此OLED结构阳极；(d)在阳极上依次蒸镀空穴输运层，蒸镀发光层及电子输运层，最后蒸镀阴极。本发明的OLED制造工艺，容易便制作出适用于OLED器件的高精度的亚微米级结构，解决了OLED的玻璃上不易图形化的难题，使得导电透明ITO薄膜成膜更为均匀，ITO电极良品率高、出光率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 微米 结构 oled 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种具有纳米结构的OLED制造工艺，其特征在于，包括下述步骤：(a)制备二氧化硅薄膜：通过磁控溅射在玻璃基片上覆上一层二氧化硅薄膜；(b)二氧化硅图形化：在步骤(a)所述的二氧化硅薄膜上制作纳米图形结构；(c)制作OLED结构阳极：在二氧化硅上均匀旋涂一层ITO导电溶胶，使其作为此OLED结构阳极；(d)在阳极上依次蒸镀空穴输运层，蒸镀发光层及电子输运层，最后蒸镀阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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