[发明专利]一种具有亚微米结构的OLED制造工艺

权利要求书

1.一种具有纳米结构的OLED制造工艺，其特征在于，包括下述步骤：

(a)制备二氧化硅薄膜：通过磁控溅射在玻璃基片上覆上一层二氧化硅薄膜；

(b)二氧化硅图形化：在步骤(a)所述的二氧化硅薄膜上制作纳米图形结构；

(c)制作OLED结构阳极：在二氧化硅上均匀旋涂一层ITO导电溶胶，使其作为此OLED结构阳极；

(d)在阳极上依次蒸镀空穴输运层，蒸镀发光层及电子输运层，最后蒸镀阴极。

2.如权利要求1所述一种具有纳米结构的OLED制造工艺，其特征在于，所述步骤(b)按照如下步骤：

首先，通过真空蒸镀的方式，在二氧化硅上覆上一层金属导电薄膜；然后涂胶，通过旋涂的方法把电子束光刻胶涂敷在金属导电薄膜表面；其次进行电子束光刻，使光刻胶图形化；再次用反应离子将图形从电子束光刻胶上转移到金属膜上，然后用有机溶剂去掉电子束光刻胶；第二次进行反应离子刻蚀，通过刻蚀把金属膜上的图形转移到二氧化硅薄膜上，即得到需要的图形，从而将纳米图形转移到二氧化硅薄膜上；最后用PH＝3.5的稀盐酸溶液去除金属膜。

3.如权利要求2所述一种具有纳米结构的OLED制造工艺，其特征在于，所述步骤(b)进行电子束光刻按照如下步骤：首先通过旋涂的方法把光刻胶涂敷在二氧化硅表面；其次进行直写干涉光刻方法，使光刻胶图形化；再次用反应离子刻蚀将图形从抗蚀胶上转移到二氧化硅上；即得到需要的图形，从而将纳米图形转移到二氧化硅上；最后用有机溶剂去掉光刻胶。

4.如权利要求1所述一种具有纳米结构的OLED制造工艺，其特征在于，所述步骤(c)中ITO导电溶胶是：氯化锡和硝酸铟以质量比9∶1溶解在去离子水中形成的溶胶，溶胶中溶质颗粒直径在5nm左右。