[发明专利]一种具有亚微米结构的OLED制造工艺

说明书

技术领域

本发明属于OLED制造领域，涉及一种OLED制造工艺，尤其涉及一种具有亚微米结构的OLED制造工艺。 

背景技术

有机电致发光器件OLED在迅速的发展起来，纳米制造技术也在逐渐的积累。近几年，将纳米图形应用在OLED的制作工艺中已做了不少的尝试。理论上其可以显著的提高现有OLED的一些性能参数，如出光效率，载流子的复合率等。但是，在OLED器件上制作亚微米结构难度很大，针对OLED的玻璃上的图形化比较困难，例如采用纳米压印的办法，必须制作硬模具，但模具精度不能保证，压印尺寸精度不能保证，脱模又容易损伤微结构。另外为了增加OLED器件的寿命，提高OLED器件的发光性能，现在在OLED的图形化工艺之后，普遍采用添加缓冲层的方法以使后续制作的ITO电极平整。但是，这样就大大增加了缓冲层制作的工艺时间，并且减少制作良品率。另外，即使添加了缓冲层，ITO表面也不是绝对平整的，而是有一定的波浪起伏。这种起伏的波浪会产生SPPs表面等离子体激元效应，降低出光率。 

因此，确有必要提供一种具有亚微米结构的OLED制造工艺。 

发明内容

本发明的目的是提供一种具有亚微米结构OLED的制造工艺，以解决模具精度不能保证，压印尺寸精度不能保证，脱模容易损伤微结构等问题。 

该工艺包括下述步骤： 

(a)制备二氧化硅薄膜：通过磁控溅射在玻璃基片上覆上一层二氧化硅薄膜； 

(b)二氧化硅图形化：在步骤(a)所述的二氧化硅薄膜上制作纳米图形结构； 

(c)制作OLED结构阳极：在二氧化硅上均匀旋涂一层ITO导电溶胶，使其作为此OLED结构阳极； 

(d)在阳极上依次蒸镀空穴输运层，蒸镀发光层及电子输运层，最后蒸镀阴极。 

所述步骤(b)按照如下步骤： 

首先，通过真空蒸镀的方式，在二氧化硅上覆上一层金属导电薄膜；然后涂胶，通过旋涂的方法把电子束光刻胶涂敷在金属导电薄膜表面；其次进行电子束光刻，使光刻胶 图形化；再次用反应离子将图形从电子束光刻胶上转移到金属膜上，然后用有机溶剂去掉电子束光刻胶；第二次进行反应离子刻蚀，通过刻蚀把金属膜上的图形转移到二氧化硅薄膜上，即得到需要的图形，从而将纳米图形转移到二氧化硅薄膜上；最后用PH＝3.5的稀盐酸溶液去除金属膜。 

所述步骤(b)进行电子束光刻按照如下步骤：首先通过旋涂的方法把光刻胶涂敷在二氧化硅表面；其次进行直写干涉光刻方法，使光刻胶图形化；再次用反应离子刻蚀将图形从抗蚀胶上转移到二氧化硅上；即得到需要的图形，从而将纳米图形转移到二氧化硅上；最后用有机溶剂去掉光刻胶。 

所述步骤(c)中ITO导电溶胶是：氯化锡和硝酸铟以质量比9∶1溶解在去离子水中形成的溶胶，溶胶中溶质颗粒直径在5nm左右。 

采用上述的具有亚微米结构OLED的制造工艺，可以较容易制作出适用于OLED器件的高精度的亚微米级结构，解决了OLED在玻璃上图形化的难题，如采用纳米压印则必须制作硬模具，但模具精度不能保证，压印尺寸精度不能保证，脱模又容易损伤微结构。而且本工艺采用导电透明ITO薄膜作为OLED结构阳极，由于采用了溶胶旋涂工艺，使得ITO薄膜更好的同二氧化硅上的微纳图形结合，成膜更为均匀。 

目前的工艺在OLED的图形化工艺之后，普遍采用添加缓冲层的方法以使后续制作的ITO电极平整，但这样就大大增加了缓冲层制作的工艺时间，此外即使添加了缓冲层，ITO表面也不是绝对平整的，而是有一定的波浪起伏。这种起伏的波浪会产生SPPs表面等离子体激元效应，降低出光率。采用本制造工艺则可以获得均匀的ITO阳极层，极大地改善上述缺点。 

附图说明

附图1为具有利用电子束光刻方法制作高保真纳米结构的OLED器件制作流程图。 

图1-a为磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺图。 

图1-b为蒸镀铝膜工艺图。 

图1-c为电子束光刻胶涂覆工艺图。 

图1-d为电子束光刻胶图形化工艺图。 

图1-e为以电子束光刻胶作掩膜刻蚀铝膜工艺图。 

图1-f为用有机溶剂去除电子束光刻胶工艺图。 

图1-g为以铝作掩膜刻蚀二氧化硅薄膜工艺图。 

图1-h为用酸溶液去除铝膜工艺图。 

图1-i为旋涂一层ITO溶胶薄膜工艺图。 

图1-j为传统的OLED制备工艺图。