[发明专利]相变存储器的制作方法无效
| 申请号： | 201010285273.7 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102403453A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;庞军玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种相变存储器的制作方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述P型半导体衬底内形成有掩埋阱；在掩埋阱表面形成层间介质层；在层间介质层中形成露出掩埋阱的开槽；向开槽内依次填充第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述第三外延层中含碳离子，所述第二外延层作为第一电极；采用高选择比的刻蚀工艺去除第三外延层，形成相变存储器开口；在开口侧壁形成侧墙；在开口内填充满相变层；在相变层上形成第二电极。本发明既简化了工艺，又提高了器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有掩埋阱；在掩埋阱表面形成层间介质层；在层间介质层中形成露出掩埋阱的开槽；向开槽内依次填充第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述第三外延层中含碳离子，所述第二外延层作为第一电极；采用对第三外延层和第二外延层刻蚀具有高选择比的刻蚀工艺去除第三外延层，形成相变存储器开口；在开口侧壁形成侧墙；在开口内填充满相变层；在相变层上形成第二电极。
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