[发明专利]相变存储器的制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有掩埋阱；

在掩埋阱表面形成层间介质层；

在层间介质层中形成露出掩埋阱的开槽；

向开槽内依次填充第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述第三外延层中含碳离子，所述第二外延层作为第一电极；

采用对第三外延层和第二外延层刻蚀具有高选择比的刻蚀工艺去除第三外延层，形成相变存储器开口；

在开口侧壁形成侧墙；

在开口内填充满相变层；

在相变层上形成第二电极。

2.如权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述第一外延层的材料为硅。

3.如权利要求2所述的相变存储器件，其特征在于，形成第一外延层的气体为H₂和SiH₂Cl₂的混合气体或H₂和SiH₄的混合气体或H₂和Si₂H₆的混合气体或H₂和Si₃H₈的混合气体或H₂和SiHCl₃的混合气体或H₂和SiCl₄的混合气体。

4.如权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述第二外延层的材料为P型硅。

5.如权利要求4所述的相变存储器件，其特征在于，形成第二外延层的气体为H₂、SiH₂Cl₂和B₂H₆的混合气体或H₂、SiH₄和B₂H₆的混合气体或H₂、Si₂H₆和B₂H₆的混合气体或H₂、Si₃H₈和B₂H₆的混合气体或H₂、SiHCl₃和B₂H₆的混合气体或H₂、SiCl₄和B₂H₆的混合气体。

6.如权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述第三外延层的材料为含碳的非晶硅。