[发明专利]相变存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010285160.7 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102403452A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 何其旸;张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器件，包括：形成有晶体管的半导体基底；位于半导体基底上的介电层以及贯穿介电层的下电极；依次位于介电层上的第一绝缘层、刻蚀阻挡层以及第二绝缘层；贯穿第一绝缘层、刻蚀阻挡层以及第二绝缘层的相变层，相变层与下电极电连接；形成于第二绝缘层与相变层之间的刻蚀层；第一绝缘层的刻蚀速率大于刻蚀层的刻蚀速率。本发明提供的相变存储器件，能够使用作限定通孔大小的所述刻蚀层在刻蚀的过程中不容易被消耗掉，从而减小通孔的截面宽度，使相变层与下电极的接触面积变小，从而使相变存储器件操作电流变小，实现仅需要施加较小的操作电流即可发生相变，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器件，包括：形成有晶体管的半导体基底；位于所述半导体基底上的介电层以及贯穿所述介电层的下电极；依次位于所述介电层上的第一绝缘层、刻蚀阻挡层以及第二绝缘层；贯穿所述第一绝缘层、刻蚀阻挡层以及第二绝缘层的相变层，所述相变层与所述下电极电连接；形成于所述第二绝缘层与所述相变层之间的刻蚀层；其中，所述第一绝缘层的刻蚀速率大于所述刻蚀层的刻蚀速率。
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