[发明专利]相变存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种相变存储器件，包括：

形成有晶体管的半导体基底；

位于所述半导体基底上的介电层以及贯穿所述介电层的下电极；

依次位于所述介电层上的第一绝缘层、刻蚀阻挡层以及第二绝缘层；

贯穿所述第一绝缘层、刻蚀阻挡层以及第二绝缘层的相变层，所述相变层与所述下电极电连接；

形成于所述第二绝缘层与所述相变层之间的刻蚀层；

其中，所述第一绝缘层的刻蚀速率大于所述刻蚀层的刻蚀速率。

2.如权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述第一绝缘层的材料是无定型碳、光刻胶或有机抗反射涂层中的一种或其组合。

3.如权利要求2所述的相变存储器件，其特征在于，所述第一绝缘层的刻蚀速率为

4.如权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为

5.如权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述刻蚀层的材料是二氧化硅或氮化硅。

6.如权利要求5所述的相变存储器件，其特征在于，所述刻蚀层的刻蚀速率为

7.如权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述第二绝缘层的材料是二氧化硅或氮化硅。

8.如权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为

9.如权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述相变层的材料是Ge_xSb_yTe_z，其中0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，并且x+y+z＝1。

10.如权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述相变层的截面宽度为1-50nm。

11.如权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述下电极的截面宽度为30-100nm。

12.一种如权利要求1所述的相变存储器件的制造方法，包括：

提供一形成有晶体管的半导体基底；

在所述半导体基底上形成介电层，并形成贯穿所述介电层的下电极；

在所述介电层上依次形成第一绝缘层、刻蚀阻挡层以及第二绝缘层，所述第二绝缘层具有暴露刻蚀阻挡层表面的第一开口；

在所述第二绝缘层上以及所述第一开口内形成刻蚀层薄膜，所述刻蚀层薄膜具有一沟槽，其中，所述第一绝缘层的刻蚀速率大于所述刻蚀层薄膜的速率；

依次刻蚀所述沟槽下方的刻蚀层薄膜、刻蚀阻挡层和第一绝缘层，以形成通孔；

去除覆盖在所述第二绝缘层上的所述刻蚀层薄膜；

在所述通孔中填入相变层，使所述相变层与所述下电极电连接。

13.如权利要求12所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料是无定型碳、光刻胶或有机抗反射涂层中一种或其组合。

14.如权利要求13所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层的刻蚀速率为

15.如权利要求12所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为

16.如权利要求12所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀层的材料是二氧化硅或氮化硅。

17.如权利要求16所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀层的刻蚀速率为

18.如权利要求12所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，依次通过干法刻蚀所述沟槽下方的刻蚀层薄膜、刻蚀阻挡层和第一绝缘层。