[发明专利]发光装置的制造方法无效
| 申请号： | 201010283884.8 | 申请日： | 2010-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102270709A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 小岛章弘;杉崎吉昭;小幡进;西内秀夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种发光装置的制造方法，具有：在衬底上层积具有发光层的半导体层并形成第一构造体的工序；在半导体层上形成第一电极及第二电极的工序；在半导体层上形成与第一电极导通的第一金属柱和与第二电极导通的第二金属柱的工序；在第一金属柱及第二金属柱之间埋入树脂的工序；以及，将衬底从半导体层剥离，形成通过树脂支承半导体层，并在树脂的与半导体层相反的一侧成为凸起的第二构造体的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光装置的制造方法，其特征在于，具有：在衬底上层积具有发光层的半导体层并形成第一构造体的工序；在上述半导体层上形成第一电极及第二电极的工序；在上述半导体层上形成与上述第一电极导通的第一金属柱和与上述第二电极导通的第二金属柱的工序；在上述第一金属柱及上述第二金属柱之间埋入树脂的工序；以及将上述衬底从上述半导体层剥离，形成由上述树脂支承上述半导体层，并在上述树脂的与上述半导体层相反的一侧成为凸起的第二构造体的工序。
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