[发明专利]发光装置的制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求在先申请日本专利申请No.2010-126575的优先权，该在先申请的申请日为2010年6月2日，其全部内容在此涉及。

技术领域

本发明涉及发光装置的制造方法。

背景技术

发光装置的用途扩大至照明装置、图像显示装置的背光光源、以及显示装置等。

近年，提出了使含有发光层的半导体层在蓝宝石衬底等衬底上结晶生长的方法。另外，为了提高亮度以及低背化，还考虑使用通过激光照射从半导体层剥离衬底的制造方法。

在这里，上述蓝宝石衬底等衬底不仅具有使含有发光层的GaN层等半导体层结晶生长的功能，还具有作为发光装置的构造上的(机械的)支承体的功能。因此，提出如下方法，即，在从半导体层剥离衬底时，预先将其它衬底作为支承体而临时接合(贴合)，之后，除去衬底。但是，在将其它衬底作为支承体使用的情况下，需要其它衬底的接合工序、变得无用的其它衬底的剥离工序、以及接合面的清洁工序。

发明内容

本发明的技术方案提供制造工序不复杂、且量产性优异的发光装置的制造方法。

本实施方式的发光装置的制造方法具有：在衬底上层积具有发光层的半导体层并形成第一构造体的工序；在上述半导体层上形成第一电极及第二电极的工序；在上述半导体层上形成与上述第一电极导通的第一金属柱和与上述第二电极导通的第二金属柱的工序；在上述第一金属柱及上述第二金属柱之间埋入树脂的工序；以及将上述衬底从上述半导体层剥离，形成由上述树脂支承上述半导体层，并在上述树脂的与上述半导体层相反的一侧成为凸起的第二构造体的工序。

附图说明

图1是第一实施方式的发光装置的制造方法的流程图。

图2～图9是第一实施方式的发光装置的制造方法的示意截面图。

图10是例示通过真空卡盘保持第二构造体的状态的示意截面图。

图11是例示构造体的弯曲量的变化的附图。

图12是说明其它的发光装置的例子的示意截面图。

图13～图15是第二实施方式的发光装置的制造方法的示意截面图。

具体实施方式

以下、根据附图对本发明的实施方式进行说明。

另外，附图为示意或者概念性的附图，各部分的厚度和宽度的关系以及部分间的大小的比例系数等并不限于一定与现实中的一样。另外，即使在表示相同的部分的情况下，有些附图相互间的尺寸和比例系数也表现出不同。

另外，在本发明的说明书和各图中，对于与已有的图中已经说明的要素相同的要素，赋予相同的符号并省略详细的说明。

(第1实施方式)

图1是说明第1实施方式的发光装置的制造方法的流程图。

如图1所示，本实施方式的发光装置的制造方法具有形成第一构造体的工序(步骤S110)、形成第一电极及第二电极的工序(步骤S120)、形成第一金属柱及第二金属柱的工序(步骤S130)、树脂埋入工序(步骤S140)以及形成第二构造体的工序(步骤S150)。

在步骤S110中，在衬底上，层积具有发光层的半导体层，并形成第一构造体。

在步骤S120中，在半导体层上形成第一电极及第二电极。

在步骤S130中，在半导体层上形成与第一电极导通的第一金属柱和与第二电极导通的第二金属柱。

在步骤S140中，在第一金属柱及第二金属柱之间埋入树脂。

在步骤S150中，将衬底从半导体层剥离，形成通过树脂支承半导体层，并在树脂的相反侧成为凸起的第二构造体。

在这里，第一构造体是含有在衬底上层积半导体层的结构的构造体。在第一构造体中，含有在制造过程中形成的电极和金属柱。另外，第一构造体含有在衬底上的广阔范围内形成的一系列的半导体层，或者，含有在制造过程中在衬底上经由绝缘物而连结的状态的半导体层。

另外，第二构造体包含如下结构，即，从半导体层将衬底剥离，通过树脂支承半导体层。在第二构造体中、在制造过程中，还包含根据需要而设置的透镜或透光性树脂。

在这样的本实施方式中，由于通过埋入金属柱同的树脂支承半导体层，所以，在将衬底从半导体层剥离时，不需要为了支承半导体层而贴合其它的衬底。该树脂保持原样地被用作发光装置的封装的一部分。