[发明专利]发光装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 201010283884.8 申请日: 2010-09-13
公开(公告)号: CN102270709A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 小岛章弘;杉崎吉昭;小幡进;西内秀夫 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/48
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光装置的制造方法,其特征在于,具有:

在衬底上层积具有发光层的半导体层并形成第一构造体的工序;

在上述半导体层上形成第一电极及第二电极的工序;

在上述半导体层上形成与上述第一电极导通的第一金属柱和与上述第二电极导通的第二金属柱的工序;

在上述第一金属柱及上述第二金属柱之间埋入树脂的工序;以及

将上述衬底从上述半导体层剥离,形成由上述树脂支承上述半导体层,并在上述树脂的与上述半导体层相反的一侧成为凸起的第二构造体的工序。

2.如权利要求1所述发光装置的制造方法,其特征在于,在形成上述半导体层的工序之后,上述第一构造体通过第一弯曲量而在上述衬底的形成上述半导体层的一侧成为凸起。

3.如权利要求2所述发光装置的制造方法,其特征在于,在埋入上述树脂的工序之后,上述第一构造体通过比上述第一弯曲量小的第二弯曲量在上述树脂的与上述半导体层相反的一侧成为凸起。

4.如权利要求1所述发光装置的制造方法,其特征在于,在将上述衬底从上述半导体层剥离的工序之后,上述第二构造体通过第三弯曲量而在上述树脂的与上述半导体层相反的一侧成为凸起。

5.如权利要求4所述发光装置的制造方法,其特征在于,上述第三弯曲量与上述第二弯曲量相比,绝对值大。

6.如权利要求1所述发光装置的制造方法,其特征在于,在将上述衬底从上述半导体层剥离的工序中,将激光经由上述衬底照射到上述半导体层的与上述衬底的接合面。

7.如权利要求1所述发光装置的制造方法,其特征在于,在埋入上述树脂的工序中,在埋入上述树脂后,上述第二构造体在上述树脂的上述半导体层的一侧成为凸起。

8.如权利要求1所述发光装置的制造方法,其特征在于,另外具有如下工序:在将上述衬底从上述半导体层剥离的工序之后,在从上述树脂的与上述半导体层相反的一侧通过吸附而保持上述树脂的状态下,在上述半导体层上形成透镜。

9.如权利要求1所述发光装置的制造方法,其特征在于,另外具有如下工序:在将上述衬底从上述半导体层剥离的工序之后,在从上述树脂的与上述半导体层相反的一侧通过吸附而保持上述树脂的状态下,形成覆盖上述半导体层的透光性树脂。

10.如权利要求9所述发光装置的制造方法,其特征在于,在形成上述透光性树脂的工序之后,上述第二构造体通过第四弯曲量而在上述树脂的与上述半导体层相反的一侧成为凸起。

11.如权利要求10所述发光装置的制造方法,其特征在于,在使上述树脂平坦化的工序之后,上述第二构造体通过比上述第四弯曲量大的第五弯曲量而在上述树脂的与上述半导体层相反的一侧成为凸起。

12.如权利要求9所述发光装置的制造方法,其特征在于,在形成上述透光性树脂并将保持上述树脂的吸附解除之后,上述第二构造体在上述树脂的与上述半导体层相反的一侧成为凸起。

13.如权利要求1所述发光装置的制造方法,其特征在于,另外具有如下工序:在形成上述树脂的工序之后,从上述第二构造体的与上述树脂相反的一侧吸附并保持,使上述树脂平坦化,并使上述第一金属柱及上述第二金属柱的至少一部分露出。

14.如权利要求12所述发光装置的制造方法,其特征在于,另外具有如下工序:在形成上述透光性树脂的工序之后,从上述第二构造体的上述透光性树脂的一侧吸附并保持,使上述树脂平坦化,并使上述第一金属柱及上述第二金属柱的至少一部分露出的工序。

15.如权利要求1所述发光装置的制造方法,其特征在于,在形成上述半导体层的工序之后,上述第一构造体具有第一弯曲量,在上述衬底的形成上述半导体层的一侧成为凸起,

在埋入上述树脂的工序之后,上述第一构造体具有比上述第一弯曲量小的第二弯曲量,在上述树脂的与上述半导体层相反的一侧成为凸起。

16.如权利要求14所述发光装置的制造方法,其特征在于,在形成上述透光性树脂的工序之后,上述第二构造体具有第四弯曲量,在上述树脂的一侧成为凸起,

在使上述树脂平坦化的工序之后,上述第二构造体具有比上述第四弯曲量大的第五弯曲量,在上述树脂的一侧成为凸起。

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