[发明专利]一种MOS晶体管

摘要

本发明提供一种MOS晶体管，该晶体管为沟槽型垂直双扩散晶体管，采用金属插塞的方式将用以引出源电极的金属层填充在位于相邻两源区之间的接触孔内，并在接触孔下方形成一重掺杂的体接触区域，此时，该MOS晶体管结构中金属均通过接触孔内填充的金属插塞与硅体接触，接触孔侧壁接触的硅体为第一半导体类型掺杂的源区，接触孔底部接触的硅体为第二半导体类型掺杂的体接触区，二者均为重掺杂区域，有效防止了金属与轻掺杂硅体接触产生的各种寄生效应，改善晶体管性能。与此同时，金属插塞的引入，大大缩小了接触孔的孔径，进一步减小器件尺寸，提高器件集成度。

主权项

一种MOS晶体管，包括：第一半导体类型的半导体衬底；第一半导体类型掺杂的外延层，位于所述半导体衬底表面；第二半导体类型掺杂的阱区，位于所述外延层内；若干第一沟槽，其内衬薄栅氧化层并填充有多晶硅形成多晶硅栅；其特征在于，该沟槽型垂直双扩散晶体管结构还包括：若干接触孔，位于所述阱区内相邻两所述第一沟槽之间，其内衬粘合层并填充有第一金属形成金属插塞；若干第二半导体类型掺杂的体接触区域，位于所述接触孔下方；若干第一半导体类型掺杂的源区，位于所述阱区内第一沟槽与接触孔之间。