[发明专利]一种MOS晶体管无效
| 申请号： | 201010280069.6 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102403352A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王根毅;吴宗宪 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 | ||
1.一种MOS晶体管，包括：
第一半导体类型的半导体衬底；
第一半导体类型掺杂的外延层，位于所述半导体衬底表面；
第二半导体类型掺杂的阱区，位于所述外延层内；
若干第一沟槽，其内衬薄栅氧化层并填充有多晶硅形成多晶硅栅；
其特征在于，该沟槽型垂直双扩散晶体管结构还包括：
若干接触孔，位于所述阱区内相邻两所述第一沟槽之间，其内衬粘合层并填充有第一金属形成金属插塞；
若干第二半导体类型掺杂的体接触区域，位于所述接触孔下方；
若干第一半导体类型掺杂的源区，位于所述阱区内第一沟槽与接触孔之间。
2.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述接触孔孔径为0.2μm～0.5μm，孔深为0.35μm～1μm，所述接触孔的孔深大于所述源区的离子注入深度、远小于所述第一沟槽的沟槽深度。
3.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述体接触区掺杂浓度大于所述阱区的掺杂浓度。
4.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述粘合层为Ti/TiN叠层。
5.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第一金属为钨。
6.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第一沟槽内衬的栅氧化层向外延伸至覆盖所述源区表面。
7.根据权利要求6所述的MOS晶体管，其特征在于，所述多晶硅栅上表面覆盖有氧化层。
8.根据权利要求7所述的MOS晶体管，其特征在于，覆盖所述源区表面的多晶硅栅表面以及覆盖所述多晶硅栅表面的氧化层表面均覆盖一绝缘介质层。
9.根据权利要求8所述的MOS晶体管，其特征在于，所述绝缘介质层表面与所述第一金属层表面持平。
10.根据权利要求8所述的MOS晶体管，其特征在于，所述绝缘介质层为硼磷硅玻璃层。
11.根据权利要求9所述的MOS晶体管，其特征在于，所述绝缘介质层及所述第一金属层表面覆盖第二金属层。
12.根据权利要求11所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第二金属层为一叠层结构，包括所述粘合层和第三金属层。
13.根据权利要求12所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第三金属层为AlSiCu合金。
14.根据权利要求1～13中任意一项所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第一半导体类型掺杂为N型掺杂，第二半导体类型掺杂为P型掺杂。
15.根据权利要求1～13中任意一项所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第一半导体类型掺杂为P型掺杂，第二半导体类型掺杂为N型掺杂。
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