[发明专利]MOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010275949.4 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102403335A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王乐 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种MOS器件，包括衬底、在所述衬底内形成的阱区以及位于阱区内且相对设置的源端和漏端，在所述源端和所述漏端之间形成掺杂浓度均匀的表面沟道区域。采用本发明的结构，沟道区采用外延淀积的方式，其掺杂浓度均匀，浓度和厚度容易控制，阈值电压稳定。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件，包括衬底、在所述衬底内形成的阱区以及位于阱区内且相对设置的源端和漏端，其特征在于，在所述源端和所述漏端之间形成掺杂浓度均匀的表面沟道区域。
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