[发明专利]MOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010275949.4 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102403335A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王乐 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种MOS器件，包括衬底、在所述衬底内形成的阱区以及位于阱区内且相对设置的源端和漏端，其特征在于，在所述源端和所述漏端之间形成掺杂浓度均匀的表面沟道区域。
2.如权利要求1所述的MOS器件，其特征在于：所述表面沟道区域由在所述阱区上形成的外延层刻蚀而成，所述外延层的厚度均匀。
3.如权利要求2所述的MOS器件，其特征在于：所述外延层的厚度为10～100纳米，掺杂浓度范围在1E13～8E14每立方厘米，所述栅极的厚度为3000埃。
4.一种MOS器件的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
在衬底上生长一层注入氧化层；
通过光刻、注入工艺形成阱区；
去除注入氧化层，淀积一层外延层形成表面沟道区域；
在外延层上生长一层栅氧；
在栅氧上淀积一层多晶硅，多晶硅刻蚀，形成栅极；
注入形成位于所述外延层及阱区内且相对设置的源端和漏端。
5.如权利要求4所述的MOS器件的制造方法，其特征在于：所述表面沟道区域掺杂浓度均匀、厚度均匀。
6.如权利要求4所述的MOS器件的制造方法，其特征在于：所述注入氧化层厚度为300埃，所述外延层的厚度为10～100纳米，掺杂浓度范围在1E13～8E14每立方厘米。
7.如权利要求4所述的MOS器件的制造方法，其特征在于：所述栅极的厚度为3000埃。
8.如权利要求4所述的MOS器件的制造方法，其特征在于：所述源端和漏端的注入能量为80千电子伏特。
9.如权利要求4所述的MOS器件的制造方法，其特征在于：所述源端和漏端的注入剂量为5×1012离子数/平方厘米。
10.如权利要求4所述的MOS器件的制造方法，其特征在于：所述外延层的生长方法是选择性外延。
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