[发明专利]高电压半导体器件中的集成肖特基二极管

摘要

本发明提出了一种在由有源元件区和终止区构成的半导体衬底中制备半导体功率器件的方法。该方法包括：在半导体衬底顶面上的终止区和有源元件区中，生长场氧化层，并形成图案；在远离场氧化层一段缝隙区域的半导体衬底的顶面上，设置一个多晶硅层，并形成图案；通过空白的本体掺杂植入，在半导体衬底中形成本体掺杂区，与缝隙区充分对齐，然后将本体掺杂区扩散到半导体衬底中的本体区；植入包围着本体区的高浓度本体掺杂区，其掺杂浓度比本体区的掺杂浓度还高；以及利用源极掩膜植入源极区，源极区的导电类型与本体区相反，源极区包围在本体区中，并被高浓度的本体掺杂区包围着。

主权项

一种设置在含有有源元件区和终止区的半导体衬底中的半导体功率器件，其特征在于，包括：一个由设置在所述的半导体衬底的顶面上的带图案的多晶硅层构成的栅极；一个带图案的场氧化层，设置在所述的终止区中，以及在离开所述的半导体衬底的顶面上的所述的带图案的多晶硅层一缝隙区域的所述的有源元件区域中；设置在所述的半导体衬底中的掺杂的本体区，本体区从与所述的缝隙区域对齐的所述的顶面以下的区域开始充分扩散，并且延伸到所述的带图案的多晶硅层和所述的带图案的场氧化层以下的区域；包围在所述的本体区中的掺杂的源极区，并且其导电类型与所述的本体区相反；以及包围在所述的围绕着源极区的本体区中的高浓度本体‑掺杂区，并且其掺杂浓度比围绕着所述的源极区的所述的本体区的掺杂浓度要高。