[发明专利]高电压半导体器件中的集成肖特基二极管

权利要求书

1.一种设置在含有有源元件区和终止区的半导体衬底中的半导体功率器件，其特征在于，包括：

一个由设置在所述的半导体衬底的顶面上的带图案的多晶硅层构成的栅极；

一个带图案的场氧化层，设置在所述的终止区中，以及在离开所述的半导体衬底的顶面上的所述的带图案的多晶硅层一缝隙区域的所述的有源元件区域中；

设置在所述的半导体衬底中的掺杂的本体区，本体区从与所述的缝隙区域对齐的所述的顶面以下的区域开始充分扩散，并且延伸到所述的带图案的多晶硅层和所述的带图案的场氧化层以下的区域；

包围在所述的本体区中的掺杂的源极区，并且其导电类型与所述的本体区相反；以及

包围在所述的围绕着源极区的本体区中的高浓度本体-掺杂区，并且其掺杂浓度比围绕着所述的源极区的所述的本体区的掺杂浓度要高。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括：

一个带图案的肖特基金属层，覆盖在之前被所述的有源元件区域中的所述的场氧化层所占据，随后从所述的半导体衬底的顶面上除去的区域上，其中所述的带图案的肖特基金属层还部分延伸到所述的缝隙区域中，以便接触所述的本体区和所述的源极区，形成所述的半导体功率器件在所述的有源元件区域中集成的肖特基二极管。

3.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括：

浅本体-掺杂区，设置在直接位于所述的肖特基金属层下方所述的本体区附近，浅本体-掺杂区的深度比所述的本体区浅得多。

4.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的半导体衬底包括一个N-型外延层用于承载包围着N-型导电类型的所述的源极区的P-型导电类型的所述的本体-掺杂区。

5.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的半导体衬底包括一个P-型外延层，用于承载包围着P-型导电类型的所述的源极区的N-型导电类型的所述的本体-掺杂区。

6.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的半导体功率器件还包括一个金属氧化物半导体场效应管功率器件。

7.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的半导体功率器件还包括一个位于N-型半导体衬底上的N-沟道金属氧化物半导体场效应管功率器件。

8.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的半导体功率器件还包括一个设置在P-型半导体衬底上的P-沟道金属氧化物半导体场效应管功率器件。

9.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的半导体功率器件还包括一种绝缘栅双极晶体管功率器件。

10.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的半导体功率器件还包括设置在N-型半导体衬底上的绝缘栅双极晶体管功率器件，所述N-型半导体衬底包括带有N-型掺杂区的P-型底部层，所述N-型掺杂区设置在半导体衬底处，对应所述的有源元件区中所述的集成肖特基二极管。

11.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的半导体功率器件还包括一个超级结半导体功率器件，所述的超级结半导体功率器件在位于所述的本体-掺杂区下方的半导体衬底中含有交替的N-型和P-型掺杂立柱。

12.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的半导体功率器件还包括一个设置在N-型半导体衬底中的超级结半导体功率器件，半导体衬底包括位于由P-型掺杂物构成的所述的本体掺杂区下方的P-型立柱，N-型立柱在所述的P-型立柱之间。

13.一种用于在半导体衬底中制备由有源元件区和终止区构成的半导体功率器件的方法，其特征在于，包括：

在所述的半导体衬底顶面上所述的终止区和所述的有源元件区中，生长场氧化层，并形成图案；

在离开所述的场氧化层一缝隙区域的所述的半导体衬底的顶面上，沉积一个多晶硅层，并形成图案；以及

通过无掩膜的本体掺杂植入，在所述的半导体衬底中形成本体掺杂区，与缝隙区充分对齐，然后将所述的本体掺杂区扩散到所述的半导体衬底中的本体区。