[发明专利]超级结半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种超级结半导体器件的制作方法，在高掺杂的第一种类型半导体的硅基片上成长第一种类型半导体的外延层；在所述外延层上端区域中形成第二种类型半导体的阱；在所述外延层中形成沟槽并在所述沟槽中填入第二种类型半导体的硅；在所述外延层的表面形成场板介质膜，并在器件的终端区域完成图形化；在所述外延层上形成栅氧化膜和栅极区；在所形成的阱中形成高掺杂的第一种类型半导体的源区；形成栅-金属间介质膜；形成接触孔；形成表面金属膜；形成背面金属层。本发明能够有效提高器件的可靠性，降低工艺成本。

主权项

一种超级结半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在第一种类型半导体的硅基片上成长第一种类型半导体的外延层；步骤2、在所述外延层上端区域中形成第二种类型半导体的阱；步骤3、在所述外延层中形成沟槽；步骤4、在所述沟槽中填入第二种类型半导体的硅；步骤5、在所述外延层的表面形成场板介质膜，并在器件的终端区域完成图形化；步骤6、在所述外延层上形成栅氧化膜和栅极区；步骤7、在所述阱中形成第一种类型半导体的源区；步骤8、在所述栅极区和外延层上端面形成栅‑金属间介质膜；步骤9、在所述栅‑金属间介质膜中形成接触孔；步骤10、在所述栅‑金属间介质膜上端面和接触孔中形成表面金属膜，并形成源极和栅极；步骤11、将所述硅基片减薄到需要的厚度并在其背面形成背面金属层。