[发明专利]超级结半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种超级结半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在第一种类型半导体的硅基片上成长第一种类型半导体的外延层；

步骤2、在所述外延层上端区域中形成第二种类型半导体的阱；

步骤3、在所述外延层中形成沟槽；

步骤4、在所述沟槽中填入第二种类型半导体的硅；

步骤5、在所述外延层的表面形成场板介质膜，并在器件的终端区域完成图形化；

步骤6、在所述外延层上形成栅氧化膜和栅极区；

步骤7、在所述阱中形成第一种类型半导体的源区；

步骤8、在所述栅极区和外延层上端面形成栅-金属间介质膜；

步骤9、在所述栅-金属间介质膜中形成接触孔；

步骤10、在所述栅-金属间介质膜上端面和接触孔中形成表面金属膜，并形成源极和栅极；

步骤11、将所述硅基片减薄到需要的厚度并在其背面形成背面金属层。

2.一种超级结半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在第一种类型半导体的硅基片上成长第一种类型半导体的外延层；

步骤2、在所述外延层中形成沟槽；

步骤3、在所述沟槽中填入第二种类型半导体的硅；

步骤4、在所述外延层的表面形成场板介质膜，并在器件的终端区域完成图形化；

步骤5、在所述外延层上形成栅氧化膜和栅极区；

步骤6、在所述外延层上端区域中形成第二种类型半导体的阱；

步骤7、在所述阱中形成第一种类型半导体的源区；

步骤8、在所述栅极区和外延层上端形成栅-金属间介质膜；

步骤9、在所述栅-金属间介质膜中形成接触孔；

步骤10、在所述栅-金属间介质膜上端面和接触孔中形成表面金属膜，并形成源极和栅极；

步骤11、将所述硅基片减薄到需要的厚度并在其背面形成背面金属层。

3.一种超级结半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在第一种类型半导体的硅基片上成长第一种类型半导体的外延层；

步骤2、在所述外延层中形成沟槽；

步骤3、在所述沟槽中填入第二种类型半导体的硅；

步骤4、在所述外延层的表面形成场板介质膜，并在器件的终端区域完成图形化；

步骤5、在所述外延层上端区域中形成第二种类型半导体的阱；

步骤6、在所述外延层上形成栅氧化膜和栅极区；

步骤7、在所述阱中形成第一种类型半导体的源区；

步骤8、在所述栅极区和外延层上端面形成栅-金属间介质膜；

步骤9、在所述栅-金属间介质膜中形成接触孔；

步骤10、在所述栅-金属间介质膜上端面和接触孔中形成表面金属膜，并形成源极和栅极；

步骤11、将所述硅基片减薄到需要的厚度并在其背面形成背面金属层。

4.一种超级结半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在第一种类型半导体的硅基片上成长第一种类型半导体的外延层；

步骤2、在所述外延层中形成沟槽；

步骤3、在所述沟槽中填入第二种类型半导体的硅；

步骤4、在所述外延层上形成栅氧化膜和栅极区；

步骤5、在所述外延层上端区域中形成第二种类型半导体的阱；

步骤6、在所述栅极区的表面形成场板介质膜，并在器件的终端区域完成图形化；

步骤7、在所述阱中形成第一种类型半导体的源区；

步骤8、在所述外延层上和栅极区上形成栅-金属间介质膜；

步骤9、在所述栅-金属间介质膜中形成接触孔；

步骤10、在所述栅-金属间介质膜上端面和接触孔中形成表面金属膜，并形成源极和栅极；

步骤11、将所述硅基片减薄到需要的厚度并在其背面形成背面金属层。