[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201010260919.6 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102214693A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 谢博全;钟汉邠;柯志欣;詹博文;陶宏远 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，上述半导体装置包括一基板，其中具有多个浅沟槽隔绝区和多个源/漏极区；一栅极堆叠结构，位于上述基板上，且介于上述源/漏极区之间；一第一间隙壁，其具有一第一介电常数，位于上述栅极堆叠结构的一侧壁上，其中该第一间隙壁具有一外侧壁；一第二间隙壁，其具有一第二介电常数，位于上述第一间隙壁的该外侧壁上，其中该第一介电常数小于该第二介电常数。本发明可降低栅极和轻掺杂源/漏极(LDD)区之间的电容耦合效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一基板，其中具有多个浅沟槽隔绝区和多个源/漏极区；一栅极堆叠结构，位于该基板上，且介于所述多个源/漏极区之间；一第一间隙壁，其具有一第一介电常数，位于该栅极堆叠结构的一侧壁上，其中该第一间隙壁具有一外侧壁；以及一第二间隙壁，其具有一第二介电常数，位于该第一间隙壁的该外侧壁上，其中该第一介电常数小于该第二介电常数。
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