[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一基板，其中具有多个浅沟槽隔绝区和多个源/漏极区；

一栅极堆叠结构，位于该基板上，且介于所述多个源/漏极区之间；

一第一间隙壁，其具有一第一介电常数，位于该栅极堆叠结构的一侧壁上，其中该第一间隙壁具有一外侧壁；以及

一第二间隙壁，其具有一第二介电常数，位于该第一间隙壁的该外侧壁上，其中该第一介电常数小于该第二介电常数。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一介电常数介于4.5至5.5之间。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一间隙壁中具有一第一数量的一第一杂质，且该第二间隙壁中具有一第二数量的一第二杂质，其中该第一数量不同于该第二数量。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第二数量少于该第一数量。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第一杂质和该第二杂质为由硼、碳、氟及上述组合组成的物质群中选择的一种物质。

6.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第一杂质的原子百分比介于2％至40％之间。

7.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第二杂质的原子百分比小于3％。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一间隙壁为硼掺杂氮化物，且该第二间隙壁为非掺杂氮化物。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一间隙壁的厚度介于至之间。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二间隙壁的厚度介于至之间。